IRF4905PBF - MOSFET de canal P de -55V 74A Corriente 0.02Ω Rds(on) TO-220AB 175°C Clasificado para avalancha máxima

IRF4905PBF

CARACTERÍSTICAS

Tecnología de proceso avanzada

Ultra baja resistencia en estado ON

Clasificación dv/dt dinámica

Temperatura de funcionamiento de 175°C

Conmutación rápida

Canal P

Totalmente clasificado para avalancha

Sin plomo

Descripción

Los HEXFETs de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia en estado ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales en niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO 220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

Información

Dibujo

Nuestra ventaja:

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Lista de productos
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Las ofertas incluyen:
Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistencia, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque de terminales, cristal y oscilador, inductor, sensor, transformador, controlador IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuerte en marcas:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.