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Módulo de potencia IGBT

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CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
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Producto excelente, buena calidad, precio competitivo, servicio profesional, con 10 años de cooperación, ahora hacemos buenos amigos.

—— Ronald-de Boilvia

Está muy alegre encontrar el TOP como nuestro socio en China, aquí podemos conseguir el mejor producto y serice, ponen siempre al cliente en el primer lugar.

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CHINA SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters distribuidor
SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters

Módulo de potencia IGBT

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CHINA SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters fábrica

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters
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SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters Features Compact Design One screw mounting Heat ... Leer más
2025-12-02 15:01:12
CHINA SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters fábrica

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters
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SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters Features 1600V / 450A High-Power Rating Half... Leer más
2025-12-02 14:08:35
CHINA NH1GG69V250P 1250V 250A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 3.3mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Baja pérdida Alta densidad de potencia Grado industrial para inversores fotovoltaicos y motores fábrica

NH1GG69V250P 1250V 250A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 3.3mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Baja pérdida Alta densidad de potencia Grado industrial para inversores fotovoltaicos y motores
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NH1GG69V250P 1250V 250A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 3.3mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Baja pérdida Alta densidad de potencia Grado industrial para inversores fotovoltaicos y motores Características ... Leer más
2025-12-01 16:47:20
CHINA NH1GG69V125P 1250V 69A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 11mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Alta temperatura 175 °C Baja pérdida Grado industrial para motores solares e industriales fábrica

NH1GG69V125P 1250V 69A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 11mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Alta temperatura 175 °C Baja pérdida Grado industrial para motores solares e industriales
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NH1GG69V125P 1250V 69A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 11mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Alta temperatura 175 °C Baja pérdida grado industrial para motores solares e industriales Características ... Leer más
2025-12-01 14:02:19
CHINA NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Conmutación rápida de alta frecuencia Alta eficiencia Rendimiento robusto TO-247 paquete para servidores SMPS y unidades de motor fábrica

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Conmutación rápida de alta frecuencia Alta eficiencia Rendimiento robusto TO-247 paquete para servidores SMPS y unidades de motor
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NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Bajo Rds(on) 18mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Alta Eficiencia Rendimiento Robusto Paquete TO-247 Para Servidores SMPS y Accionamientos de Motor Características VDS =60V, ID ... Leer más
2025-11-27 14:54:51
CHINA MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Modulo de medio puente baja Rds ((on) Conmutación rápida de alta frecuencia alta operación de temperatura baja pérdida grado industrial para PV y UPS fábrica

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Modulo de medio puente baja Rds ((on) Conmutación rápida de alta frecuencia alta operación de temperatura baja pérdida grado industrial para PV y UPS
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MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Modulo de medio puente baja Rds ((on) Conmutación rápida de alta frecuencia alta operación de temperatura baja pérdida grado industrial para PV y UPS Características □ IGBT CHIP (... Leer más
2025-11-27 14:14:21
CHINA MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Modulo de potencia 400V Bajo Rds ((on) 1.6mΩ Alta eficiencia Alta velocidad de conmutación de calidad automotriz Liquido refrigerado para inversores de tracción xEV fábrica

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Modulo de potencia 400V Bajo Rds ((on) 1.6mΩ Alta eficiencia Alta velocidad de conmutación de calidad automotriz Liquido refrigerado para inversores de tracción xEV
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MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Modulo de potencia 400V Bajo Rds ((on) 1.6mΩ Alta eficiencia Alta velocidad de conmutación de calidad automotriz Liquido refrigerado para inversores de tracción xEV Caracter... Leer más
2025-11-26 17:17:38
CHINA IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264 fábrica

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264
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IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Conmutación rápida de alta frecuencia Diodo robusto de cuerpo de alta temperatura operación TO-264 paquete Características Paquete de normas internacionales con ... Leer más
2025-11-26 16:52:34
CHINA FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Módulo IGBT HiPerFET 4 Alta Densidad de Potencia Baja Vce(sat) Conmutación Rápida Alta Frecuencia SOA Robusta Para Accionamientos Industriales y SAI fábrica

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Módulo IGBT HiPerFET 4 Alta Densidad de Potencia Baja Vce(sat) Conmutación Rápida Alta Frecuencia SOA Robusta Para Accionamientos Industriales y SAI
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FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 módulo IGBT alta densidad de potencia baja Vce(sat) conmutación rápida de alta frecuencia robusta SOA para unidades industriales y UPS Características Diodo ampliado para ... Leer más
2025-11-25 18:11:38
CHINA FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Alta Densidad de Potencia Baja Vce(sat) Conmutación Rápida Alta Frecuencia SOA Robusta Grado Industrial para UPS y Solar fábrica

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Alta Densidad de Potencia Baja Vce(sat) Conmutación Rápida Alta Frecuencia SOA Robusta Grado Industrial para UPS y Solar
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FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT Alta densidad de potencia baja Vce (sat) Conmutación rápida de alta frecuencia robusta SOA de grado industrial para UPS y solar Características 4 kV aislamiento AC ... Leer más
2025-11-25 16:29:18
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Módulo 4G 5G

Módulo celular de alta velocidad del módulo 4G LTE del G/M para los routeres, netbooks

Modulo EM7430 de larga distancia 4G LTE Cat 6 Principalmente para Asia Pacífico MDM9230 Chipset

Módulo de MC7430 MDM9230 4G LTE

El chipset 4G de Qualcomm MDM9230 integró los módulos inalámbricos MC7455 USB 3,0

PCB Servicios de la Asamblea

Escoja los servicios echados a un lado GPS de la asamblea del PWB que sigue para el módulo de GPS

servicios de la asamblea del PWB del cargador 2200mA 18650 con la superficie gruesa del chapado en oro

4 tablero del prototipo del soporte de la superficie del tablero del PWB del prototipo 94v0 del PWB de la capa

antena de gps de alta ganancia

SMA/SMB/aumento de la antena externa HI de GPS del conector BNC para el sistema del vehículo

Antena de GPS de la alta ganancia del alto rendimiento para el teléfono celular TOP-GPS-AI08

Alta ganancia óptima de la conectividad antena de 50 ohmios con el montaje del tornillo

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