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Módulo de potencia IGBT

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CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
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Producto excelente, buena calidad, precio competitivo, servicio profesional, con 10 años de cooperación, ahora hacemos buenos amigos.

—— Ronald-de Boilvia

Está muy alegre encontrar el TOP como nuestro socio en China, aquí podemos conseguir el mejor producto y serice, ponen siempre al cliente en el primer lugar.

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CHINA FF400R06KE3HOSA1 600V 400A módulo de medio puente IGBT trench stop tech baja VCEsat con conmutación rápida resistente para inversores y accionamientos distribuidor
FF400R06KE3HOSA1 600V 400A módulo de medio puente IGBT trench stop tech baja VCEsat con conmutación rápida resistente para inversores y accionamientos

Módulo de potencia IGBT

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CHINA FF75R12RT4 Módulo IGBT de 1200V 75A Baja Vce(sat) Alta robustez contra cortocircuitos Baja pérdida de conmutación Alto aislamiento Para accionamientos industriales e inversores UPS fábrica

FF75R12RT4 Módulo IGBT de 1200V 75A Baja Vce(sat) Alta robustez contra cortocircuitos Baja pérdida de conmutación Alto aislamiento Para accionamientos industriales e inversores UPS
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FF75R12RT4 1200V 75A Modulo IGBT Bajo Vce (sat) Alta robustez de cortocircuito Baja pérdida de conmutación Alto aislamiento para accionadores industriales e inversores UPS Características Nivel de potencia est... Leer más
2025-12-19 17:44:45
CHINA SK70KQ16 Módulo IGBT rápido de 1600 V 70 A Vce bajo (sat) 2,3 V Apagado rápido Diodo de recuperación suave Alta temperatura 150 °C Baja pérdida Alta densidad de potencia para UPS e inversores compactos fábrica

SK70KQ16 Módulo IGBT rápido de 1600 V 70 A Vce bajo (sat) 2,3 V Apagado rápido Diodo de recuperación suave Alta temperatura 150 °C Baja pérdida Alta densidad de potencia para UPS e inversores compactos
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SK70KQ16 1600V 70A Módulo IGBT rápido Bajo Vce (sat) 2.3V Apagado rápido Diodo de recuperación blando Alta temperatura 150 °C Baja pérdida Alta densidad de potencia Para UPS y inversores compactos Caracter... Leer más
2025-12-18 18:25:15
CHINA SEMIX341D16S 1600V 450A módulo de medio puente IGBT de baja velocidad de conmutación rápida Diodo de recuperación suave de alta temperatura 175 ° C de baja pérdida grado industrial para UPS e inversores solares fábrica

SEMIX341D16S 1600V 450A módulo de medio puente IGBT de baja velocidad de conmutación rápida Diodo de recuperación suave de alta temperatura 175 ° C de baja pérdida grado industrial para UPS e inversores solares
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SEMIX341D16S 1600V 450A módulo de medio puente IGBT de baja velocidad de conmutación rápida Diodo de recuperación suave de alta temperatura 175 ° C de baja pérdida grado industrial para UPS e inversores solares ... Leer más
2025-12-18 18:25:12
CHINA NH1GG69V250P 1250V 250A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 3.3mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Baja pérdida Alta densidad de potencia Grado industrial para inversores fotovoltaicos y motores fábrica

NH1GG69V250P 1250V 250A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 3.3mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Baja pérdida Alta densidad de potencia Grado industrial para inversores fotovoltaicos y motores
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NH1GG69V250P 1250V 250A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 3.3mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Baja pérdida Alta densidad de potencia Grado industrial para inversores fotovoltaicos y motores Características ... Leer más
2025-12-18 18:25:09
CHINA NH1GG69V125P 1250V 69A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 11mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Alta temperatura 175 °C Baja pérdida Grado industrial para motores solares e industriales fábrica

NH1GG69V125P 1250V 69A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 11mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Alta temperatura 175 °C Baja pérdida Grado industrial para motores solares e industriales
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NH1GG69V125P 1250V 69A Módulo MOSFET SiC Bajo Rds ((on) 11mΩ Conmutación rápida Alta frecuencia Alta temperatura 175 °C Baja pérdida grado industrial para motores solares e industriales Características ... Leer más
2025-12-18 18:25:07
CHINA NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Conmutación rápida de alta frecuencia Alta eficiencia Rendimiento robusto TO-247 paquete para servidores SMPS y unidades de motor fábrica

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Conmutación rápida de alta frecuencia Alta eficiencia Rendimiento robusto TO-247 paquete para servidores SMPS y unidades de motor
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NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Bajo Rds(on) 18mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Alta Eficiencia Rendimiento Robusto Paquete TO-247 Para Servidores SMPS y Accionamientos de Motor Características VDS =60V, ID ... Leer más
2025-12-18 18:25:04
CHINA MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Modulo de medio puente baja Rds ((on) Conmutación rápida de alta frecuencia alta operación de temperatura baja pérdida grado industrial para PV y UPS fábrica

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Modulo de medio puente baja Rds ((on) Conmutación rápida de alta frecuencia alta operación de temperatura baja pérdida grado industrial para PV y UPS
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MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Modulo de medio puente baja Rds ((on) Conmutación rápida de alta frecuencia alta operación de temperatura baja pérdida grado industrial para PV y UPS Características □ IGBT CHIP (... Leer más
2025-12-18 18:25:02
CHINA MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Modulo de potencia 400V Bajo Rds ((on) 1.6mΩ Alta eficiencia Alta velocidad de conmutación de calidad automotriz Liquido refrigerado para inversores de tracción xEV fábrica

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Modulo de potencia 400V Bajo Rds ((on) 1.6mΩ Alta eficiencia Alta velocidad de conmutación de calidad automotriz Liquido refrigerado para inversores de tracción xEV
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2025-12-18 18:24:59
CHINA IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264 fábrica

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264
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2025-12-18 18:24:57
CHINA FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Módulo IGBT HiPerFET 4 Alta Densidad de Potencia Baja Vce(sat) Conmutación Rápida Alta Frecuencia SOA Robusta Para Accionamientos Industriales y SAI fábrica

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Módulo IGBT HiPerFET 4 Alta Densidad de Potencia Baja Vce(sat) Conmutación Rápida Alta Frecuencia SOA Robusta Para Accionamientos Industriales y SAI
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FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A Módulo IGBT HiPerFET 4 Alta Densidad de Potencia Baja Vce(sat) Conmutación Rápida Alta Frecuencia SOA Robusta Para Accionamientos Industriales y UPS Características Diodo ampliado ... Leer más
2025-12-18 18:24:53
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Módulo 4G 5G

Módulo celular de alta velocidad del módulo 4G LTE del G/M para los routeres, netbooks

Modulo EM7430 de larga distancia 4G LTE Cat 6 Principalmente para Asia Pacífico MDM9230 Chipset

Módulo de MC7430 MDM9230 4G LTE

El chipset 4G de Qualcomm MDM9230 integró los módulos inalámbricos MC7455 USB 3,0

componentes del circuito integrado

280756-4 4 Posición 2.5mm Pitch Wire-to-Board Receptacle Crimp Housing Friction Lock Panel Mount UL 94V-0 Polarizado 4.5A Calificación para distribución de energía y controles industriales

280389-2 2 Posiciones Cabezal de 2.5mm de Paso para Cable a Placa Vertical con Orificio Pasante Blindado Polarizado UL 94V-0 Estañado para Aplicaciones Automotrices e Industriales

SM4004PL-TP Diodo de propósito general de 400V 1A Baja VF 1.1V Baja fuga 5µA Alta sobretensión 30A SOD-123FL -65°C a 175°C Cumple con RoHS para fuentes de alimentación e iluminación LED

antena de gps de alta ganancia

SMA/SMB/aumento de la antena externa HI de GPS del conector BNC para el sistema del vehículo

Antena de GPS de la alta ganancia del alto rendimiento para el teléfono celular TOP-GPS-AI08

Alta ganancia óptima de la conectividad antena de 50 ohmios con el montaje del tornillo

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