IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264

Características

• Paquete Estándar Internacional

• miniBLOC, con Aislamiento de Nitruro de Aluminio

• Bajo RDS(on) y QG

• Clasificado para Avalancha

• Baja Inductancia del Paquete

• Rectificador Intrínseco Rápido

Aplicaciones

• Fuentes de Alimentación de Modo Conmutado y Resonante

• Convertidores CC-CC

• Controladores Láser

• Accionamientos de Motor CA y CC

• Robótica y Controles Servo

Descripción

El IXFN56N90P es un MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) de alto voltaje y alta corriente en un paquete TO-264, diseñado para ofrecer una eficiencia y rendimiento superiores en sistemas de conversión de potencia exigentes. Aprovecha las ventajas de la tecnología SiC, ofreciendo una excelente combinación de un voltaje de ruptura de 900V y una corriente continua baja de 56A. Su muy baja resistencia en estado de conducción (Rds(on)) de 65mΩ minimiza las pérdidas por conducción, mientras que las propiedades inherentes del SiC permiten velocidades de conmutación extremadamente rápidas con bajas pérdidas, lo que permite la operación a alta frecuencia. Esto reduce el tamaño y el costo de los componentes pasivos como los magnéticos y los condensadores. El MOSFET presenta un robusto diodo de cuerpo intrínseco con excelentes características de recuperación inversa, lo que mejora su fiabilidad en aplicaciones de conmutación dura. Su capacidad de funcionamiento a alta temperatura y su paquete estándar de la industria lo convierten en una solución robusta y versátil para diseños de potencia modernos.

INFORMACIÓN

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