El TOP es un distribuidor profesional de los componentes electrónicos en China.
ofrecemos servicio todo en uno de la solución, de los módulos de comunicación, de las antenas, del PWB, de PCBA, y de todos los componentes para PWB Bom.
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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Ventilación nominal AC IEC: | 690 V | Grado del amperio: | 125 A |
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| Cumple con RoHS: | Sí | Ancho del producto: | 40 mm |
| Longitud del producto: | 135 mm | Altura del producto: | 64 milímetros |
IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Conmutación rápida de alta frecuencia Diodo robusto de cuerpo de alta temperatura operación TO-264 paquete
Características
Paquete de normas internacionales
con un contenido de nitrato de aluminio superior o igual a 10%, pero no superior o igual a 10%
Baja RDS ((on) y QG
Variación de las avalanchas
Baja inductancia del paquete
Rectificador intrínseco rápido
Aplicaciones
Fuentes de alimentación en modo conmutador y en modo resonante
Conversores de corriente continua
Conductores láser
Dispositivos de motor de CA y CC
Robótica y servocontrol
Descripción
El...Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembroses un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de alto voltaje y alta corriente en un paquete TO-264, diseñado para ofrecer una eficiencia y un rendimiento superiores en sistemas de conversión de energía exigentes.Aprovecha las ventajas de la tecnología SiC, que ofrece una excelente combinación de un voltaje de ruptura de 900 V y una baja corriente continua de 56 A. Su muy baja resistencia en estado de funcionamiento (Rds ((on)) de 65 mΩ minimiza las pérdidas de conducción,Mientras que las propiedades inherentes del SiC permiten velocidades de conmutación extremadamente rápidas con bajas pérdidasEsto reduce el tamaño y el costo de los componentes pasivos como los magnéticos y los condensadores.El MOSFET presenta un diodo intrínseco robusto con excelentes características de recuperación inversaSu capacidad operativa a altas temperaturas y su paquete estándar de la industria lo convierten en una solución robusta y versátil para diseños de energía modernos.
Información
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Categoría
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El Sr.
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Serie
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Embalaje
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El tubo
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Estado de las partes
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Actividad
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Tipo de FET
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Tecnología
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
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Las demás:
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Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
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Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
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10 V
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Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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Vgs(th) (máximo) @ Id
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6.5V @ 3mA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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375 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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± 30 V
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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23000 pF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disposición de energía (máximo)
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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Temperatura de funcionamiento
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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Grado
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Calificación
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Tipo de montaje
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Montura del chasis
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Paquete de dispositivos del proveedor
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Se trata de un proyecto de investigación.
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Envase / estuche
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Número del producto de base
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Dibujo
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Nuestra ventaja:teléfonos, PDAs y computadoras portátiles
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Lista de productos
Suministramos una serie de componentes electrónicos, gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para el bom de la PCB, en una palabra, puede obtener una solución única aquí,
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Fuerte en la marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en la lista incluyen:
Persona de Contacto: Mrs. Natasha
Teléfono: 86-13723770752
Fax: 86-755-82815220