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El TOP es un distribuidor profesional de los componentes electrónicos en China.

ofrecemos servicio todo en uno de la solución, de los módulos de comunicación, de las antenas, del PWB, de PCBA, y de todos los componentes para PWB Bom.

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IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
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IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264

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Ampliación de imagen :  IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264

Datos del producto:
Lugar de origen: Porcelana
Nombre de la marca: IXYS
Certificación: CE, GCF, ROHS
Número de modelo: El número de unidades de producción es el siguiente:
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: Empaquetado en la bandeja original en primer lugar, luego Carton, al final de la bolsa de burbujas p
Tiempo de entrega: 3-5 días hábiles después de recibir el pago
Condiciones de pago: T/T, Unión Occidental,
Capacidad de la fuente: 1000pcs por mes
Descripción detallada del producto
Ventilación nominal AC IEC: 690 V Grado del amperio: 125 A
Cumple con RoHS: Ancho del producto: 40 mm
Longitud del producto: 135 mm Altura del producto: 64 milímetros

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Conmutación rápida de alta frecuencia Diodo robusto de cuerpo de alta temperatura operación TO-264 paquete

 

Características

  • Paquete de normas internacionales

  • con un contenido de nitrato de aluminio superior o igual a 10%, pero no superior o igual a 10%

  • Baja RDS ((on) y QG

  • Variación de las avalanchas

  • Baja inductancia del paquete

  • Rectificador intrínseco rápido

 

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación en modo conmutador y en modo resonante

  • Conversores de corriente continua

  • Conductores láser

  • Dispositivos de motor de CA y CC

  • Robótica y servocontrol

 

Descripción

El...Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembroses un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de alto voltaje y alta corriente en un paquete TO-264, diseñado para ofrecer una eficiencia y un rendimiento superiores en sistemas de conversión de energía exigentes.Aprovecha las ventajas de la tecnología SiC, que ofrece una excelente combinación de un voltaje de ruptura de 900 V y una baja corriente continua de 56 A. Su muy baja resistencia en estado de funcionamiento (Rds ((on)) de 65 mΩ minimiza las pérdidas de conducción,Mientras que las propiedades inherentes del SiC permiten velocidades de conmutación extremadamente rápidas con bajas pérdidasEsto reduce el tamaño y el costo de los componentes pasivos como los magnéticos y los condensadores.El MOSFET presenta un diodo intrínseco robusto con excelentes características de recuperación inversaSu capacidad operativa a altas temperaturas y su paquete estándar de la industria lo convierten en una solución robusta y versátil para diseños de energía modernos.

 

Información

Categoría
El Sr.
Serie
Embalaje
El tubo
Estado de las partes
Actividad
Tipo de FET
Tecnología
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
Se aplicarán las siguientes medidas:
Vgs(th) (máximo) @ Id
6.5V @ 3mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
375 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
± 30 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Característica del FET
-
Disposición de energía (máximo)
Se aplicarán las siguientes medidas:
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montura del chasis
Paquete de dispositivos del proveedor
Se trata de un proyecto de investigación.
Envase / estuche
Número del producto de base

 

Dibujo

IXFN56N90P 900V 56A MOSFET de SiC Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete TO-264 0

Nuestra ventaja:teléfonos, PDAs y computadoras portátiles

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Lista de productos
Suministramos una serie de componentes electrónicos, gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para el bom de la PCB, en una palabra, puede obtener una solución única aquí,


Las ofertas incluyen:
Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistor, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque terminal,Cristal y amplificadorLos componentes de los circuitos de circuito impreso (PCB) incluyen: oscilador, inductor, sensor, transformador, conductor IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (tabla de circuito impreso), PCBBA (ensamblaje de PCB).

Fuerte en la marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en la lista incluyen:

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Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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