SKM75GB128DN 1200V, 75A Módulo IGBT Dual Bajo VCE(sat) 1.9V Conmutación Rápida Diodo Integrado Capacidad SC 10µs Paquete SEMITOP2 Pines Press-Fit Certificado UL para Variadores e Inversores

SKM75GB128DN 1200V, 75A Módulo IGBT Dual Bajo VCE(sat) 1.9V Conmutación Rápida Capacidad SC de 10µs Paquete SEMITOP2 Pines Press-Fit Certificado UL para Variadores e Inversores

Características

• Tensión colector-emisor de 1200V (V CES) con corriente de colector continua de 75A

• Baja tensión de saturación (VCE(sat)) para reducir las pérdidas de conducción

• Capacidad de conmutación rápida con bajas pérdidas de encendido y apagado: Eon 5.7mJ, Eoff 4.7mJ (típ.)

• Tecnología de diodo CAL con tiempo de recuperación inversa rápido (~200ns) para una rectificación eficiente

• Capacidad de soportar cortocircuitos de 10µs a 150°C para una mayor robustez

• Paquete aislado SEMITRANS™ 2N con sustrato cerámico de alta conductividad térmica

• Reconocido por UL para estándares de seguridad industrial

• Amplio rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a +150°C

Aplicaciones

• Variadores de motor AC e inversores industriales

• Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (SAI)

• Fuentes de alimentación conmutadas y convertidores de alta frecuencia

• Equipos de soldadura y sistemas de calentamiento por inducción

• Inversores solares y sistemas de energía renovable

• Automatización industrial y variadores de servo

Descripción

El SKM75GB128DN es un módulo de potencia IGBT dual de 1200V, 75A de SEMIKRON, parte de la serie SEMITRANS™ 2N con tecnología IGBT SPT (Soft Punch Through). Integra dos IGBTs con diodos CAL (Controlled Axial Lifetime) conectados inversamente en un paquete aislado compacto diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia hasta 40kHz. El módulo presenta un sustrato cerámico de unión directa de cobre de alta calidad para un excelente rendimiento térmico y está reconocido por UL.INFORMACIÓNVoltaje

1200 V

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