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S25FL256SAGNFI010 256Mb (32MB) Serial NOR Flash 104MHz SPI 100K Borrado/Ciclos de programación de 20 años Conservación de datos 2.7-3.6V WSON-8 -40°C a +85°C Calidad automotriz

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S25FL256SAGNFI010 256Mb (32MB) Serial NOR Flash 104MHz SPI 100K Borrado/Ciclos de programación de 20 años Conservación de datos 2.7-3.6V WSON-8 -40°C a +85°C Calidad automotriz

Ampliación de imagen : S25FL256SAGNFI010 256Mb (32MB) Serial NOR Flash 104MHz SPI 100K Borrado/Ciclos de programación de 20 años Conservación de datos 2.7-3.6V WSON-8 -40°C a +85°C Calidad automotriz

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Cypress
Certificación:	CE, GCF, ROHS
Número de modelo:	El número de unidades de producción será el siguiente:

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	negotiable
Detalles de empaquetado:	Envasado en bandeja original primero, luego cartón, finalmente bolsa de burbujas para el embalaje ex
Tiempo de entrega:	3-5 días hábiles después de recibir el pago
Condiciones de pago:	T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente:	1000 piezas por mes

Contacto

Descripción detallada del producto

Tipo de embalaje:	Bolsa de cinta de tubo con bandeja de carrete	Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 125 °C
Envase / estuche:	WSON-8	Tipo de montaje:	DSM/SMT
Código de fecha de fabricación:	2024+	Función:	Descenso
Resaltar:	Flash NOR serie de 256Mb , Flash NOR serie WSON-8 , El número de unidades de producción será el siguiente:

S25FL256SAGNFI010

andnbsp;

Características

andbull; Núcleo CMOS de 3.0V con E/S versátiles

andbull; Interfaz periférica serie (SPI) con múltiples E/S

andbull; Polaridad y modos de fase del reloj SPI 0 y 3

andbull; Opción DDR

andbull; Direccionamiento extendido: opciones de dirección de 24 o 32 bits

andbull; Conjunto de comandos serie y huella compatibles con las familias SPI S25FL-A, S25FL-K y S25FL-P

andbull; Conjunto de comandos de múltiples E/S y huella compatibles con la familia SPI S25FL-P

andbull; Comandos de lectura

andbull; Normal, Rápido, Dual, Cuádruple, DDR rápido, DDR dual, DDR cuádruple

andbull; AutoBoot andndash; Encendido o reinicio y ejecución de un comando de lectura Normal o Cuádruple automáticamente en una dirección preseleccionada

andbull; Datos de la Interfaz Flash Común (CFI) para información de configuración

andbull; Programación (1.5 MBps)

andbull; Opciones de búfer de programación de página de 256 o 512 bytes

andbull; Programación de página de entrada cuádruple (QPP) para sistemas de reloj lento

andnbsp;

andbull; ECC automático: generación interna de código de corrección de errores de hardware con corrección de errores de un solo bit

andbull; Borrado (0.5 a 0.65 MBps)

andbull; Opción de tamaño de sector híbrido andndash; Conjunto físico de treinta y dos sectores de 4 KB en la parte superior o inferior del espacio de direcciones con todos los sectores restantes de 64 KB, para compatibilidad con dispositivos S25FL de la generación anterior

andbull; Opción de sector uniforme andndash; siempre borra bloques de 256 KB para compatibilidad de software con dispositivos de mayor densidad y futuros

andbull; Resistencia al ciclo

andbull; 100,000 ciclos de programa-borrado, mínimo

andbull; Retención de datos

andbull; Retención de datos de 20 años, mínimo

andbull; Características de seguridad

andbull; Matriz programable de una sola vez (OTP) de 1024 bytes

andbull; Protección de bloque

andbull; Bits del Registro de estado para controlar la protección contra la programación o el borrado de un rango contiguo de sectores

andnbsp;

andbull; Opciones de control de hardware y software

andbull; Protección de sector avanzada (ASP)	andbull; Protección de sector individual controlada por código de arranque o contraseña andbull; Tensión de alimentación del núcleo: 2.7 V a 3.6 V andbull; Tensión de alimentación del núcleo: 2.7 V a 3.6 V	andnbsp;
andbull; Tensión de alimentación de E/S: 1.65 V a 3.6 V - Paquetes SO16 y FBGA	Rango de temperatura/grado:	andnbsp;
- Industrial (40anddeg;C a +85anddeg;C)	- Industrial Plus (40anddeg;C a +105anddeg;C)	andnbsp;
- Automotriz AEC-Q100 grado 3 (40anddeg;C a +85anddeg;C)	- Automotriz AEC-Q100 grado 2 (40anddeg;C a +105anddeg;C)	andnbsp;
- Automotriz AEC-Q100 grado 1 (40anddeg;C a +125anddeg;C)	Paquetes (todos sin plomo)	andnbsp;
- SOIC de 16 conductores (10.30 andtimes; 7.50 andtimes; 2.65 mm) (300 mil)	- DFN de 8 conductores (6.0 andtimes; 8.0 andtimes; 0.8 mm) (WSON)	andnbsp;
- FBGA de 24 bolas (8.0 andtimes; 6.0 andtimes; 1.2 mm)	andnbsp; andnbsp;andbull; Opciones de huella de 5 andtimes; 5 bolas (FAB024) y 4 andtimes; 6 bolas (FAC024)	andnbsp;
andnbsp; andnbsp;andbull; Chip bueno conocido (KGD) y chip probado conocido	Información	andnbsp;
Categoría	Circuitos integrados (CI)	andnbsp;
Memoria	Memoria	andnbsp;
Fabricante	Infineon Technologies	andnbsp;
Serie	FL-S	andnbsp;
Empaquetado	Bandeja	andnbsp;
Estado de la pieza	Activo	andnbsp;
Programable DigiKey	No verificado	andnbsp;
Tipo de memoria	No volátil	andnbsp;
Formato de memoria	FLASH	andnbsp;
Tecnología	FLASH - NOR	andnbsp;
Tamaño de la memoria	256Mbit	andnbsp;
Organización de la memoria	32M x 8

andnbsp;

Interfaz de memoria

SPI - E/S cuádruple

Frecuencia del reloj
133 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
-
Tensión - Alimentación

andnbsp;

2.7V ~ 3.6VTemperatura de funcionamiento

-40anddeg;C ~ 85anddeg;C (TA)
Tipo de montaje

Montaje en superficie
Paquete / Caja

8-WDFN con almohadilla expuesta
Paquete del dispositivo del proveedor

andnbsp;

etiqueta:

Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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