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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuo 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

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CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones

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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuo 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

Ampliación de imagen : CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuo 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

Datos del producto:

Place of Origin:	China
Nombre de la marca:	Texas Instruments
Certificación:	CE,ROHS
Model Number:	CSD17304Q3

Pago y Envío Términos:

Minimum Order Quantity:	1pcs

Contacto

Descripción detallada del producto

Estabilidad de frecuencia:	± 50 ppm	Tolerancia a la frecuencia:	± 30 ppm
Temperatura de funcionamiento:	-40 ° C ~ 85 ° C	Capacidad de carga:	18pF
Paquete / estuche:	HC-49/EE.UU.	Nombre:	componentes electrónicos pasivos
Resaltar:	CSD17304Q3 , CSD17304Q3 N-Channel NexFET , 30V N-Channel NexFET

En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características:

Características

• Optimizado para 5VGateDrive

• UltralowQg yQgd

• Baja resistencia térmica

• AvalancheClasificado

• PbFreeTerminalPlating (Plazación de terminales libres)

• Cumplimiento de la Directiva RoHS

• Sin halógenos

• SON3.3 mm×3.3 mmPaquete de plástico

Las aplicaciones

• Cuaderno de notas punto de carga

• Bucking sincrónico en el punto de carga

Red, telecomunicaciones y sistemas informáticos

Descripción

El CSD17304Q3 es unMOSFET de potencia NexFETTM de 30 V de canal Nde Texas Instruments (TI), con una tecnología avanzadaEnvase SON de 3.3x3.3 mmDiseñado paraconversión de potencia de alta corriente y alta eficiencia, su muy baja Rds (on) (2,2mΩ) y su capacidad de corriente continua de 60A lo hacen ideal paraelectrónica automotriz, sistemas de energía industrial y motores.

✔80% más pequeño que los envases TO-220
✔Pérdida de conducción 60% menor (frente a los MOSFET de 5 mΩ)
✔Apoya el cambio PWM de 1MHz

Información

Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
El Sr.	Las acciones de Texas Instruments
Serie	NexFETTM
Embalaje	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Estado de las partes	Actividad
Tipo de FET	N-canal
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)	30 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)	3V, 8V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs	7El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Vgs(th) (máximo) @ Id	1.8V @ 250 μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	6.6 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)	+10V, -8V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	955 pF @ 15 V
Característica del FET	-
Disposición de energía (máximo)	2.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor	Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Envase / estuche	El número de unidades de carga de la unidad
Número del producto de base	En el caso de las entidades financieras, el importe de las garantías financieras correspondiente a las entidades financieras es el siguiente:

Dibujo

- ¿ Por qué no lo haces?

110 años de experiencia en componentes; servicio de parada única para la lista de BOM; servicio de PCB y PCBA.

2Producir antena de comunicación, cable coaxial de RF, conector de RF, terminales.

3Distribuir módulos GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G y LTE.

Nuestros productos de alta calidad, precio competitivo y servicio profesional,

Asegúrese de satisfacer sus necesidades de todo tipo de componentes.

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Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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