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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuo 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuo 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

Ampliación de imagen : CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuo 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

Datos del producto:

Place of Origin:	China
Nombre de la marca:	Texas Instruments
Certificación:	CE,ROHS
Model Number:	CSD17304Q3

Pago y Envío Términos:

Minimum Order Quantity:	1pcs

Contacto

Descripción detallada del producto

Estabilidad de frecuencia:	± 50 ppm	Tolerancia a la frecuencia:	± 30 ppm
Temperatura de funcionamiento:	-40 ° C ~ 85 ° C	Capacidad de carga:	18pF
Paquete / estuche:	HC-49/EE.UU.	Nombre:	componentes electrónicos pasivos
Resaltar:	CSD17304Q3 , CSD17304Q3 N-Channel NexFET , 30V N-Channel NexFET

CSD17304Q3

andnbsp;

CARACTERÍSTICAS

andbull; Optimizadopara5VGateDrive

andbull; UltrabajoQgandQgd

andbull; BajaResistenciaTérmica

andbull; Clasificado para avalanchas

andbull; Revestimiento de terminales sin Pb

andbull; Cumple con RoHS

andbull; Libre de halógenos

andbull; Paquete de plástico SON3.3-mmandtimes;3.3-mm

andnbsp;

APLICACIONES

andbull; Punto de carga para portátiles

andbull; Buck síncrono de punto de carga en

andnbsp;andnbsp;Redes, telecomunicaciones y sistemas informáticos

andnbsp;

DESCRIPCIÓN

El CSD17304Q3 es un MOSFET de potencia NexFETandtrade; de canal N de 30 V de Texas Instruments (TI), que presenta un avanzado paquete SON de 3,3x3,3 mm. Diseñado para conversión de potencia de alta corriente y alta eficiencia, su ultra bajo Rds(on) (2,2 mΩ) y su capacidad de corriente continua de 60 A lo hacen ideal para electrónica automotriz, sistemas de energía industrial y accionamientos de motores.

✔ 80% más pequeño que los paquetes TO-220
✔ 60% menos pérdida de conducción (vs. MOSFETs de 5 mΩ)
✔ Admite conmutación PWM de 1 MHz

andnbsp;

INFORMACIÓN

Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET individuales, MOSFET	andnbsp;
Mfr	Texas Instruments	andnbsp;
Serie	NexFETandtrade;	andnbsp;
Empaquetado	Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Estado de la pieza	Activo	andnbsp;
Tipo de FET	Canal N	andnbsp;
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)	andnbsp;
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V	andnbsp;
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25anddeg;C	15A (Ta), 56A (Tc)	andnbsp;
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 17A, 8V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250andmicro;A	andnbsp;
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.6 nC @ 4.5 V	andnbsp;
Vgs (Max)	+10V, -8V	andnbsp;
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	955 pF @ 15 V	andnbsp;
Característica de FET	-	andnbsp;
Disipación de potencia (Max)	2.7W (Ta)	andnbsp;
Temperatura de funcionamiento	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Grado	-	andnbsp;
Calificación	-	andnbsp;
Tipo de montaje	Montaje en superficie	andnbsp;
Paquete de dispositivo del proveedor	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	andnbsp;
Paquete / Estuche	8-PowerTDFN	andnbsp;
Número de producto base	CSD17304

andnbsp;

Dibujo

andnbsp;

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1. 10 años de experiencia en componentes; Servicio integral para la lista BOM; Servicio PCBandamp;PCBA.

2. Producir antena de comunicación, cable coaxial RF, conector RF, terminales.

3. Distribuir módulos GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.

Nuestros productos de alta calidad, precios competitivos y servicio profesional,

seguro que satisfacen sus necesidades de todo tipo de componentes. ^_^

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Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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