AON7534 MOSFET de canal N de 30V 10.5mΩ Rds(on) 60A Continuos DFN5x6-8L -55°C a +175°C AEC-Q101

AON7534 MOSFET de canal N de 30 V, 10,5 mΩ Rds(on), 60 A continuo, DFN5x6-8L, -55 °C a +175 °C, AEC-Q101

Descripción general

• Tecnología MOSFET de potencia Trench

• RDS(on) muy bajo a 4,5 VGS

• Baja carga de puerta

• Capacidad de alta corriente

• Cumple con RoHS y libre de halógenos

Aplicación

• Convertidores CC/CC en informática, servidores y POL

• Convertidores CC/CC aislados en telecomunicaciones e industria

Características

Conmutación de potencia de alta eficiencia

  Tensión drenaje-fuente de 30 V: ideal para sistemas de alimentación de 12 V/24 V

  Corriente continua de 60 A (100 A pulsada): Admite la conducción de carga de alta potencia

Pérdida de conducción ultrabaja
  Rds(on)= 10,5 mΩ (Vgs=10V): Minimiza la disipación de potencia, aumenta la eficiencia

Optimización de la conmutación de alta frecuencia
  Baja carga de puerta (Qg=38nC): Permite el control PWM de alta frecuencia (hasta 1 MHz)

  Conmutación rápida: Tiempo de subida/caída <20ns

Fiabilidad y protección
  100% probado contra avalanchas: Garantiza la estabilidad en condiciones extremas

Certificado AEC-Q101: Cumple con los estándares de fiabilidad de grado automotriz

Densidad de potencia líder: El paquete DFN5x6-8L es un 80% más pequeño que el TO-220

Eficiencia superior: 30% menos de pérdida de conducción frente a MOSFET de 15 mΩ

Amplio rango de temperatura: -55 °C a +175 °C para entornos hostiles

INFORMACIÓN

Dibujo

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