El TOP es un distribuidor profesional de los componentes electrónicos en China.
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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Function: | Step-Up, Step-Down | Output Configuration: | Positive or Negative |
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| Topology: | Buck, Boost | Output Type: | Adjustable |
| Number of Outputs: | 1 | ||
| Resaltar: | AON7534 MOSFET de canal N,MOSFET de 60A Continuos,MOSFET de canal N de 30 V |
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AON7534 MOSFET de canal N de 30 V 10,5 mΩ Rds(on) 60 A Continuo DFN5x6-8L -55°C a +175°C AEC-Q101
Descripción general
• Tecnología Trench Power MOSFET
• RDS(on) muy bajo a 4,5 VGS
• Baja carga de puerta
• Capacidad de alta corriente
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
Aplicación
• Convertidores CC/CC en informática, servidores y POL
• Convertidores CC/CC aislados en telecomunicaciones e industria
Características
Conmutación de alta eficiencia
Tensión drenaje-fuente de 30 V: ideal para sistemas de alimentación de 12 V/24 V
Corriente continua de 60 A (100 A pulsada): Admite la conducción de carga de alta potencia
Pérdida de conducción ultrabaja
Rds(on)= 10,5 mΩ (Vgs=10V): Minimiza la disipación de potencia, aumenta la eficiencia
Optimización de la conmutación de alta frecuencia
Baja carga de puerta (Qg=38nC): Permite el control PWM de alta frecuencia (hasta 1 MHz)
Conmutación rápida: Tiempo de subida/caída <20ns
Fiabilidad y protección
100% probado en avalancha: Garantiza la estabilidad en condiciones extremas
Certificado AEC-Q101: Cumple con los estándares de fiabilidad de grado automotriz
Densidad de potencia líder: El encapsulado DFN5x6-8L es un 80% más pequeño que el TO-220
Eficiencia superior: 30% menos de pérdida de conducción frente a MOSFETS de 15 mΩ
Amplio rango de temperatura: -55'C a +175'C para entornos hostiles
INFORMACIÓN
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Categoría
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Mfr
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Serie
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-
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Empaquetado
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Cinta y carrete (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
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Estado de la pieza
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No para nuevos diseños
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Tipo de FET
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Tecnología
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Tensión drenaje-fuente (Vdss)
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30 V
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Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25°C
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Tensión de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Máx) a Id, Vgs
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5 mOhm a 20 A, 10 V
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Vgs(th) (Máx) a Id
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2,2 V a 250 µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx) a Vgs
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22 nC a 10 V
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Vgs (Máx)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) a Vds
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1037 pF a 15 V
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Característica FET
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Disipación de potencia (Máx)
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3W (Ta), 23W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grado
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-
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Calificación
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Encapsulado del dispositivo del proveedor
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8-DFN-EP (3x3)
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Paquete / Caja
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Número de producto base
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Dibujo
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Nuestra ventaja:
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Lista de productos
Suministramos una serie de componentes electrónicos, una gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para la lista de materiales (BOM) de la PCB, en una palabra, puede obtener una solución integral aquí,
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Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.
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