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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Función: | Elevación, Reducción | Configuración de salida: | Positivo o negativo |
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| Topología: | Buck, Boost | Tipo de salida: | Ajustable |
| Número de Salidas: | 1 | ||
| Resaltar: | SOIC-16 Flash SPI de 128Mb,Flash NOR SPI de 2.7-3.6V,Flash NOR SPI S25FL128SAGMFIR01 |
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S25FL128SAGMFIR01 Flash NOR SPI de 128 Mb, reloj de 104 MHz, 100 000 ciclos de borrado, retención de datos de 20 años, 2,7-3,6 V SOIC-16 -40 °C a +85 °C
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Características
andbull; Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil
andbull; Interfaz periférica serie (SPI) con E/S múltiples
- Polaridad y modos de fase del reloj SPI 0 y 3
- Opción DDR
- Direccionamiento extendido: opciones de dirección de 24 o 32 bits
- Conjunto de comandos serie y huella compatibles con las familias SPI S25FL-A, S25FL-K y S25FL-P
- Conjunto de comandos de E/S múltiples y huella compatibles con la familia SPI S25FL-P
andbull; Comandos de lectura
- Normal, rápido, dual, cuádruple, DDR rápido, DDR dual, DDR cuádruple
- AutoBoot – Encendido o reinicio y ejecución de un comando de lectura Normal o Cuádruple automáticamente en una dirección preseleccionada
- Datos de interfaz flash común (CFI) para información de configuración
andbull; Programación (1,5 MBps)
- Opciones de búfer de programación de página de 256 o 512 bytes
- Programación de página de entrada cuádruple (QPP) para sistemas de reloj lento
- Generación automática de código de corrección de errores (ECC) interno de hardware con corrección de errores de un solo bit
andbull; Borrado (0,5 a 0,65 MBps)
- Opción de tamaño de sector híbrido: conjunto físico de treinta y dos sectores de 4 KB en la parte superior o inferior del espacio de direcciones con todos los sectores restantes de 64 KB, para compatibilidad con los dispositivos S25FL de la generación anterior
- Opción de sector uniforme: siempre borra bloques de 256 KB para compatibilidad de software con dispositivos de mayor densidad y futuros
andbull; Resistencia al ciclo
- 100 000 ciclos de programación y borrado, como mínimo
andbull; Retención de datos
- Retención de datos de 20 años, como mínimo
andbull; Características de seguridad
- Matriz de programación única (OTP) de 1024 bytes
- Protección de bloques
andbull; Bits del registro de estado para controlar la protección contra la programación o el borrado de un rango contiguo de sectores
andbull; Opciones de control de hardware y software
- Protección de sector avanzada (ASP)
andbull; Protección de sector individual controlada por código de arranque o contraseña
andbull; Tecnología MIRRORBITandtrade; de 65 nm con arquitectura Eclipse
andbull; Tensión de alimentación del núcleo: 2,7 V a 3,6 V
andbull; Tensión de alimentación de E/S: 1,65 V a 3,6 V
- Paquetes SO16 y FBGA
andbull; Rango de temperatura/grado:
- Industrial (-40 °C a +85 °C)
- Industrial Plus (-40 °C a +105 °C)
- Automotriz AEC-Q100 grado 3 (-40 °C a +85 °C)
- Automotriz AEC-Q100 grado 2 (-40 °C a +105 °C)
- Automotriz AEC-Q100 grado 1 (-40 °C a +125 °C)
andbull; Paquetes (todos sin plomo)
- SOIC de 16 conductores (10,30 × 7,50 × 2,65 mm) (300 mil)
- DFN de 8 conductores (6,0 × 8,0 × 0,8 mm) (WSON)
- FBGA de 24 bolas (8,0 × 6,0 × 1,2 mm)
andbull; Opciones de huella de 5 × 5 bolas (FAB024) y 4 × 6 bolas (FAC024)
andbull; Chip bueno conocido (KGD) y chip probado conocido
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Descripción general
Los dispositivos Infineon S25FL128S y S25FL256S son productos de memoria no volátil flash que utilizan:
andbull; Tecnología MIRRORBITandtrade;: que almacena dos bits de datos en cada transistor de la matriz de memoria
andbull; Arquitectura Eclipse: que mejora drásticamente el rendimiento de programación y borrado
andbull; Litografía de proceso de 65 nm
Esta familia de dispositivos se conecta a un sistema host a través de un SPI. Se admite la entrada y salida serie de un solo bit SPI tradicional (E/S única o SIO), así como comandos serie opcionales de dos bits (E/S dual o DIO) y cuatro bits (E/S cuádruple o QIO). Esta interfaz de ancho múltiple se denomina SPI Multi-I/O o MIO. Además, la familia FL-S agrega compatibilidad con los comandos de lectura DDR para SIO, DIO y QIO que transfieren la dirección y leen datos en ambos bordes del reloj.
La arquitectura Eclipse presenta un búfer de programación de página que permite programar hasta 128 palabras (256 bytes) o 256 palabras (512 bytes) en una operación, lo que resulta en una programación y borrado efectivos más rápidos que los algoritmos de programación o borrado SPI de la generación anterior.
La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina eXecute-in-Place o XIP. Al usar dispositivos FL-S a las velocidades de reloj más altas admitidas, con comandos QIO o DDR-QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede coincidir o superar la interfaz paralela tradicional, las memorias flash NOR asíncronas, al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.
Los productos S25FL128S y S25FL256S ofrecen altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Son ideales para el sombreado de código, XIP y el almacenamiento de datos.
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INFORMACIÓN
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Categoría
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Fabricante
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Estado de la pieza
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Activo
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Programable DigiKey
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No verificado
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Tipo de memoria
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No volátil
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Formato de memoria
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Tecnología
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FLASH - NOR
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Tamaño de la memoria
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Organización de la memoria
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16 M x 8
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Interfaz de memoria
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SPI - E/S cuádruple
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Frecuencia del reloj
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133 MHz
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Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
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Tensión - Suministro
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2,7 V ~ 3,6 V
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Temperatura de funcionamiento
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-40 °C ~ 85 °C (TA)
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Paquete/caja
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Paquete del dispositivo del proveedor
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16-SOIC
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Número de producto base
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Dibujo
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Nuestra ventaja:
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