S25FL128SAGMFIR01 Flash NOR SPI de 128Mb, reloj de 104MHz, 100K ciclos de borrado, retención de datos de 20 años, 2.7-3.6V SOIC-16, -40°C a +85°C

S25FL128SAGMFIR01 Flash NOR SPI de 128 Mb, reloj de 104 MHz, 100 000 ciclos de borrado, retención de datos de 20 años, 2,7-3,6 V SOIC-16 -40 °C a +85 °C

Características

• Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil

• Interfaz periférica serie (SPI) con E/S múltiples

- Polaridad y modos de fase del reloj SPI 0 y 3

- Opción DDR

- Direccionamiento extendido: opciones de dirección de 24 o 32 bits

- Conjunto de comandos serie y huella compatibles con las familias SPI S25FL-A, S25FL-K y S25FL-P

- Conjunto de comandos de E/S múltiples y huella compatibles con la familia SPI S25FL-P

• Comandos de lectura

- Normal, rápido, dual, cuádruple, DDR rápido, DDR dual, DDR cuádruple

- AutoBoot – Encendido o reinicio y ejecución de un comando de lectura Normal o Cuádruple automáticamente en una dirección preseleccionada

- Datos de interfaz flash común (CFI) para información de configuración

• Programación (1,5 MBps)

- Opciones de búfer de programación de página de 256 o 512 bytes

- Programación de página de entrada cuádruple (QPP) para sistemas de reloj lento

- Generación automática de código de corrección de errores (ECC) interno de hardware con corrección de errores de un solo bit

• Borrado (0,5 a 0,65 MBps)

- Opción de tamaño de sector híbrido: conjunto físico de treinta y dos sectores de 4 KB en la parte superior o inferior del espacio de direcciones con todos los sectores restantes de 64 KB, para compatibilidad con los dispositivos S25FL de la generación anterior

- Opción de sector uniforme: siempre borra bloques de 256 KB para compatibilidad de software con dispositivos de mayor densidad y futuros

• Resistencia al ciclo

- 100 000 ciclos de programación y borrado, como mínimo

• Retención de datos

- Retención de datos de 20 años, como mínimo

• Características de seguridad

- Matriz de programación única (OTP) de 1024 bytes

- Protección de bloques

• Bits del registro de estado para controlar la protección contra la programación o el borrado de un rango contiguo de sectores

• Opciones de control de hardware y software

- Protección de sector avanzada (ASP)

• Protección de sector individual controlada por código de arranque o contraseña

• Tecnología MIRRORBIT™ de 65 nm con arquitectura Eclipse

• Tensión de alimentación del núcleo: 2,7 V a 3,6 V

• Tensión de alimentación de E/S: 1,65 V a 3,6 V

- Paquetes SO16 y FBGA

• Rango de temperatura/grado:

- Industrial (-40 °C a +85 °C)

- Industrial Plus (-40 °C a +105 °C)

- Automotriz AEC-Q100 grado 3 (-40 °C a +85 °C)

- Automotriz AEC-Q100 grado 2 (-40 °C a +105 °C)

- Automotriz AEC-Q100 grado 1 (-40 °C a +125 °C)

• Paquetes (todos sin plomo)

- SOIC de 16 conductores (10,30 × 7,50 × 2,65 mm) (300 mil)

- DFN de 8 conductores (6,0 × 8,0 × 0,8 mm) (WSON)

- FBGA de 24 bolas (8,0 × 6,0 × 1,2 mm)

• Opciones de huella de 5 × 5 bolas (FAB024) y 4 × 6 bolas (FAC024)

• Chip bueno conocido (KGD) y chip probado conocido

Descripción general

Los dispositivos Infineon S25FL128S y S25FL256S son productos de memoria no volátil flash que utilizan:

• Tecnología MIRRORBIT™: que almacena dos bits de datos en cada transistor de la matriz de memoria

• Arquitectura Eclipse: que mejora drásticamente el rendimiento de programación y borrado

• Litografía de proceso de 65 nm

Esta familia de dispositivos se conecta a un sistema host a través de un SPI. Se admite la entrada y salida serie de un solo bit SPI tradicional (E/S única o SIO), así como comandos serie opcionales de dos bits (E/S dual o DIO) y cuatro bits (E/S cuádruple o QIO). Esta interfaz de ancho múltiple se denomina SPI Multi-I/O o MIO. Además, la familia FL-S agrega compatibilidad con los comandos de lectura DDR para SIO, DIO y QIO que transfieren la dirección y leen datos en ambos bordes del reloj.

La arquitectura Eclipse presenta un búfer de programación de página que permite programar hasta 128 palabras (256 bytes) o 256 palabras (512 bytes) en una operación, lo que resulta en una programación y borrado efectivos más rápidos que los algoritmos de programación o borrado SPI de la generación anterior.

La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina eXecute-in-Place o XIP. Al usar dispositivos FL-S a las velocidades de reloj más altas admitidas, con comandos QIO o DDR-QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede coincidir o superar la interfaz paralela tradicional, las memorias flash NOR asíncronas, al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.

Los productos S25FL128S y S25FL256S ofrecen altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Son ideales para el sombreado de código, XIP y el almacenamiento de datos.

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