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ofrecemos servicio todo en uno de la solución, de los módulos de comunicación, de las antenas, del PWB, de PCBA, y de todos los componentes para PWB Bom.

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IRF7342TRPBF Par de MOSFET duales de 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Conmutación rápida Baja carga de puerta Paquete SOIC-8 Protección ESD e ideal para DC-DC/Rectificación síncrona

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
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Ampliación de imagen :  IRF7342TRPBF Par de MOSFET duales de 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Conmutación rápida Baja carga de puerta Paquete SOIC-8 Protección ESD e ideal para DC-DC/Rectificación síncrona

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Infineon
Certificación: CE, GCF, ROHS
Número de modelo: IRF7342TRPBF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: Envasado en bandeja original primero, luego cartón, finalmente bolsa de burbujas para el embalaje ex
Tiempo de entrega: 3-5 días hábiles después de recibir el pago
Condiciones de pago: T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente: 1000 piezas por mes
Descripción detallada del producto
Función: Elevación, Reducción Configuración de salida: Positivo o negativo
Topología: Buck, Boost Tipo de salida: Ajustable
Número de Salidas: 1
Resaltar:

6.5A Pareja de MOSFET

,

Se trata de una combinación de los siguientes elementos:

,

Pareja MOSFET de rectificación síncrona

IRF7342TRPBF Dual 55V 6.5A MOSFET Par con 50mΩ RDS ((on) Conmutación rápida de carga de puerta baja SOIC-8 paquete ESD protegido e ideal para rectificación DC-DC / síncrona

Características

Tecnología de la generación V

Resistencia muy baja

MOSFET de doble canal P

Montura de la superficie

Disponible en cinta y bobina

Nivel dinámico dv/dt

Cambiar rápidamente

Sin plomo

Descripción

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio.Combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia de HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El SO-8 ha sido modificado a través de un marco de plomo personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de múltiples matrices, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía.,El paquete está diseñado para las técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarroja o de onda.Disposición de energía superior a 0.8W es posible en una aplicación típica de montaje de PCB.

Aplicaciones

Sistemas de conversión de energía
Conversores de rectificación sincrónica CC-CC

Reguladores de voltaje de carga o de aumento
Fuentes de alimentación de alta eficiencia en modo conmutador (SMP)

Aplicaciones para el control del motor
Dispositivos para motores BLDC pequeños
Control del motor paso a paso de precisión
Sistemas de servo de bajo voltaje

Sistemas de gestión de baterías
Protección de carga/descarga de la batería de litio

Gestión de la trayectoria de energía (OR-ing)
Intercambio de energía del dispositivo móvil

Sistemas electrónicos para automóviles
Modulos de conversión CC-DC del vehículo
Sistemas de gestión de energía auxiliares
Conductores de iluminación para automóviles

Equipo de automatización industrial

Modulos de salida de PLC
Fuentes de alimentación de control industrial
Motor de baja tensión

Información

Categoría
Fabricante
Tecnologías Infineon
Serie
Embalaje
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Estado de las partes
Actividad
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
Configuración
2 canales P (dobles)
Característica del FET
Puerta de nivel lógico
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
3.4A
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id
1V @ 250μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono.
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
690pF @ 25V
Potencia - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje
Montura de la superficie
Envase / estuche
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor
8 SO
Número del producto de base

Dibujo

IRF7342TRPBF Par de MOSFET duales de 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Conmutación rápida Baja carga de puerta Paquete SOIC-8 Protección ESD e ideal para DC-DC/Rectificación síncrona 0

Nuestra ventaja:

  • Productos de alta calidad --- nuestras ofertas son 100% nuevos y originales, ROHS
  • Precio competitivo --- buenos canales de compra con un buen precio.
  • Servicio profesional --- estricta prueba de calidad antes del envío, y servicio perfecto después de la compra.
  • Inventario adecuado --- Con el apoyo de nuestro fuerte equipo de compras,
  • Entrega rápida --- enviaremos los bienes dentro de 1-3 días hábiles después de confirmar el pago.

Asegúrese de satisfacer sus necesidades de todo tipo de componentes.¿Qué quieres decir?


Lista de productos
Suministrar una serie de componentes electrónicos, gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para bom de la PCB, en una palabra, se puede obtener una solución de una sola parada aquí,


Las ofertas incluyen:
Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistor, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque terminal,Cristal y oscilador, Inductor, sensor, transformador, conductor IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuerte en la marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en el grupo incluyen:

Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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