IRFR024NTRPBF MOSFET de canal N de 55V 24A con RDS(on) ultra bajo de 0.028Ω, velocidad de conmutación rápida, probado al 100% en avalancha, paquete DPAK compacto, sin plomo y conforme con RoHS

IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET de canal N con Ultra-Bajo 0.028 y Omega; RDS ((on), Velocidad de conmutación rápida 100% Avalanche Tested Compacto paquete DPAK libre de plomo y compatible con RoHS

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Aplicaciones

Aplicaciones de accionamiento del motor cepillado

Aplicaciones de accionamiento del motor BLDC

Circuitos alimentados por baterías

Topologías de puente medio y puente completo

Aplicaciones de rectificadores síncronos

Fuentes de alimentación en modo resonante

Interruptores de energía de operación y redundantes

Conversores de corriente continua y de corriente alterna

Inversores de corriente continua y corriente alterna

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Beneficios

Puerta mejorada, Avalanche y Dynamic dV/dt

Robustez Completamente caracterizada Capacidad y Avalanche SOA

Diodo de carrocería mejorado dV/dt y dI/dt Capacidad

Sin plomo

Conforme con la Directiva RoHS, libre de halógenos

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Características

Características eléctricas
MOSFET de canal N, modo de mejora

La tensión de la fuente de drenaje (Vandlt;subandgt;DSSandlt;/subandgt): 55V

Corriente de drenaje continua (terrestre y/o submarina):
34A (@25anddeg;C)
23A (@100anddeg;C)
En la Resistencia ((Randlt;subandgt;DS ((on) andlt;/subandgt;):
0.0242 (típico, Vdlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V) 0
0.0282 ((max, Vdlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10 V)

La tensión límite de entrada (Vandlt;subandgt;Gs(th)andlt;/subandgt): 2V ~ 4V

Válvulas de tensión de entrada y salida (Vandlt;subandgt;Gandlt;/subandgt): y másmn;20V
Cambiar Características
Capacidad de entrada (candlt;subandgt;issandlt;/subandgt;): 1100 pF (típico)

Capacidad de salida (candlt;subandgt;ossandlt;/subandgt;): 300 pF (típico)

Capacidad de transferencia inversa (candlt;subandgt;rssandlt;/subandgt;): 80 pF (típico)

Tiempo de retraso de encendido/apagado (tandlt;subandgt;d(on) andlt;/subandgt;/tandlt;subandgt;d(off) andlt;/subandgt): Nivel de nanosegundos, adecuado para el conmutación de alta frecuencia

Rendimiento térmico
Disposición de potencia máxima (Pandlt;subandgt;Dandlt;/subandgt;): 48W ((@25anddeg;C)

Resistencia térmica (Randlt;subandgt;andtheta;JAandlt;/subandgt): 62°C/W (sin disipador de calor)

Rango de temperatura de funcionamiento: -55oC ~ +175oC
Características mecánicas y de embalaje
Tipo de envase: TO-252 (DPAK), montado en superficie

Conforme a la Directiva RoHS, diseño libre de plomo

Baja inductancia parasitaria, optimizada para el diseño de PCB

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Información

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Dibujo

Nuestra ventaja:

• Productos de alta calidad --- nuestras ofertas son 100% nuevos y originales, ROHS
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Lista de productos
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Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistor, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque terminal,Cristal y amplificadorLos componentes de los circuitos de circuito impreso (PCB) incluyen: oscilador, inductor, sensor, transformador, conductor IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (tabla de circuito impreso), PCBBA (ensamblaje de PCB).

Fuerte en la marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en la lista incluyen: