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CSD18563Q5A MOSFET de 60V 1.7mΩ RDS(on) 300A Corriente Conmutación Rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento Térmico Superior Paquete D2PAK-7 para Automoción y Potencia

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CSD18563Q5A MOSFET de 60V 1.7mΩ RDS(on) 300A Corriente Conmutación Rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento Térmico Superior Paquete D2PAK-7 para Automoción y Potencia

Ampliación de imagen : CSD18563Q5A MOSFET de 60V 1.7mΩ RDS(on) 300A Corriente Conmutación Rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento Térmico Superior Paquete D2PAK-7 para Automoción y Potencia

Datos del producto:

Place of Origin:	China
Nombre de la marca:	TI
Certificación:	CE,ROHS
Model Number:	CSD18563Q5A

Pago y Envío Términos:

Minimum Order Quantity:	1pcs

Contacto

Descripción detallada del producto

Frequency Stability:	±50ppm	Frequency Tolerance:	±30ppm
Operating Temperature:	-40°C ~ 85°C	Load Capacitance:	18pF
Package / Case:	HC-49/US	Name:	Passive Electronic Components

CSD18563Q5A MOSFET de 60 V 1,7 mΩ RDS(on) 300A Corriente de conmutación rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento térmico superior Paquete D2PAK-7 para automoción y energía

Características

• Qg y Qgd ultra bajos

• Diodo de cuerpo blando para reducir el timbre

• Baja resistencia térmica

• Clasificado para avalanchas

• Nivel lógico

• Revestimiento de terminales sin plomo

• Cumple con RoHS

• Libre de halógenos

• Paquete de plástico SON5mm×6mm

Aplicaciones

FET de lado bajo para convertidor reductor industrial

Rectificador síncrono del lado secundario

Control de motor

Descripción

Este MOSFET de potencia NexFET™ de 5,7 mΩ, 60 V SON de 5 mm × 6 mm fue diseñado para combinarse con el FET de control CSD18537NQ5A y actuar como el FET de sincronización para una solución completa de chipset de convertidor reductor industrial.

INFORMACIÓN

Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET individuales, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Empaquetado	Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de la pieza	Activo
Tipo de FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25°C	100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx) a Id, Vgs	6,8 mOhm a 18 A, 10 V
Vgs(th) (Máx) a Id	2,4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx) a Vgs	20 nC a 10 V
Vgs (Máx)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) a Vds	1500 pF a 30 V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3,2 W (Ta), 116 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Número de producto base	CSD18563

Dibujo

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1. 10 años de experiencia en componentes; Servicio integral para la lista BOM; Servicio PCB&PCBA.

2. Producir antena de comunicación, cable coaxial RF, conector RF, terminales.

3. Distribuir módulos GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.

Nuestros productos de alta calidad, precios competitivos y servicio profesional,

seguro que satisfacen sus necesidades de todo tipo de componentes. ^_^

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Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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