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CSD18563Q5A MOSFET de 60V 1.7mΩ RDS(on) 300A Corriente Conmutación Rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento Térmico Superior Paquete D2PAK-7 para Automoción y Potencia

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CSD18563Q5A MOSFET de 60V 1.7mΩ RDS(on) 300A Corriente Conmutación Rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento Térmico Superior Paquete D2PAK-7 para Automoción y Potencia

Ampliación de imagen : CSD18563Q5A MOSFET de 60V 1.7mΩ RDS(on) 300A Corriente Conmutación Rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento Térmico Superior Paquete D2PAK-7 para Automoción y Potencia

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	TI
Certificación:	CE,ROHS
Número de modelo:	CSD18563Q5A

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1 piezas

Contacto

Descripción detallada del producto

Estabilidad de frecuencia:	± 50 ppm	Tolerancia a la frecuencia:	± 30 ppm
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C	Capacidad de carga:	18pF
Envase / estuche:	HC-49/EE.UU.	nombre:	componentes electrónicos pasivos
Resaltar:	MOSFET CSD18563Q5A D2PAK-7 , MOSFET CSD18563Q5A de 300A , MOSFET CSD18563Q5A Calificado AEC-Q101

CSD18563Q5A MOSFET de 60 V 1,7 mandOmega; RDS(on) 300A Corriente de conmutación rápida Calificado AEC-Q101 Rendimiento térmico superior Paquete D2PAK-7 para automoción y energía

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Características

andbull; Qg y Qgd ultra bajos

andbull; Diodo de cuerpo blando para reducir el timbre

andbull; Baja resistencia térmica

andbull; Clasificado para avalanchas

andbull; Nivel lógico

andbull; Revestimiento de terminales sin plomo

andbull; Cumple con RoHS

andbull; Libre de halógenos

andbull; Paquete de plástico SON5mmandtimes;6mm

andnbsp;

Aplicaciones

FET de lado bajo para convertidor reductor industrial

Rectificador síncrono del lado secundario

Control de motor

andnbsp;

Descripción

Este MOSFET de potencia NexFETandtrade; de 5,7 mandOmega;, 60 V SON de 5 mm andtimes; 6 mm fue diseñado para combinarse con el FET de control CSD18537NQ5A y actuar como el FET de sincronización para una solución completa de chipset de convertidor reductor industrial.

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INFORMACIÓN

Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET individuales, MOSFET	andnbsp;
Fabricante	Texas Instruments	andnbsp;
Serie	NexFETandtrade;	andnbsp;
Empaquetado	Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Estado de la pieza	Activo	andnbsp;
Tipo de FET	Canal N	andnbsp;
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)	andnbsp;
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V	andnbsp;
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25anddeg;C	100A (Ta)	andnbsp;
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V	andnbsp;
Rds On (Máx) a Id, Vgs	6,8 mOhm a 18 A, 10 V	andnbsp;
Vgs(th) (Máx) a Id	2,4 V a 250 andmicro;A	andnbsp;
Carga de puerta (Qg) (Máx) a Vgs	20 nC a 10 V	andnbsp;
Vgs (Máx)	andplusmn;20V	andnbsp;
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) a Vds	1500 pF a 30 V	andnbsp;
Característica FET	-	andnbsp;
Disipación de potencia (Máx)	3,2 W (Ta), 116 W (Tc)	andnbsp;
Temperatura de funcionamiento	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Grado	-	andnbsp;
Calificación	-	andnbsp;
Tipo de montaje	Montaje en superficie	andnbsp;
Paquete del dispositivo del proveedor	8-VSONP (5x6)	andnbsp;
Paquete / Caja	8-PowerTDFN	andnbsp;
Número de producto base	CSD18563

andnbsp;

Dibujo

andnbsp;

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1. 10 años de experiencia en componentes; Servicio integral para la lista BOM; Servicio PCBandPCBA.

2. Producir antena de comunicación, cable coaxial RF, conector RF, terminales.

3. Distribuir módulos GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.

Nuestros productos de alta calidad, precios competitivos y servicio profesional,

seguro que satisfacen sus necesidades de todo tipo de componentes. ^_^

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Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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