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IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS 360mΩ RDS ((on) 11A pérdidas de conmutación de corriente ultrabajas Alta eficiencia Protección ESD robusta TO-220 paquete para aplicaciones SMPS e industriales

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IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS 360mΩ RDS ((on) 11A pérdidas de conmutación de corriente ultrabajas Alta eficiencia Protección ESD robusta TO-220 paquete para aplicaciones SMPS e industriales

Ampliación de imagen : IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS 360mΩ RDS ((on) 11A pérdidas de conmutación de corriente ultrabajas Alta eficiencia Protección ESD robusta TO-220 paquete para aplicaciones SMPS e industriales

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Infineon
Certificación:	CE,ROHS
Número de modelo:	IPA60R360P7SXKSA1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1 piezas

Contacto

Descripción detallada del producto

Estabilidad de frecuencia:	± 50 ppm	Tolerancia a la frecuencia:	± 30 ppm
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 85 °C	Capacidad de carga:	18pF
Envase / estuche:	HC-49/EE.UU.	nombre:	componentes electrónicos pasivos
Resaltar:	IPA60R360P7SXKSA1 , IPA60R360P7SXKSA1 MOSFET

IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOSandtrade; 360mandOmega; RDS ((on) 11A Corriente de conmutación ultrabaja Pérdidas de conmutación de alta eficiencia Protección ESD robusta TO-220 paquete para aplicaciones SMPS e industriales

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Características

y bull; adecuado para cambios duros y blandos (PFC y LLC) debido a una resistencia de conmutación excelente

y alcista;reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción

y excelente robustez y 2kV (HBM) para todos los productos

y bull;Mejor RDS (en) /productos envasados en comparación con la competencia habilitados por un RDS (en) bajo (A) (por debajo de 1 Ohm)

ynbsp;

Beneficios

y bull;facilidad de uso y diseño rápido-a través de una tendencia a la reducción y el envejecimiento en las etapas de PFC y PWM

y bull;gestión térmica simplificada de las pérdidas de encendido y conducción

y bull;Aumento de la densidad de potencia de estas soluciones posibilitadas por el uso de productos con una huella más pequeña y una calidad de fabricación más alta ygt;protección de 2kVESD y bull;adecuado para una amplia variedad de aplicaciones y rangos de potencia

ynbsp;

Aplicaciones potenciales

Las fases PFC, las fases PWM y las fases de resonancia conmutadas, por ejemplo, PCSilverbox, Adaptador, LCD y PDPTV, Iluminación, Servidor, Telecomunicaciones y UPS.

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Validación del producto

Calificado de acuerdo con la norma JEDEC

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MOSFET

600V CoolMOSandordf; Dispositivo de alimentación P7

La plataforma CoolMOSandtrade de séptima generación es una tecnología revolucionaria para los MOSFET de alta tensión, diseñada de acuerdo con el principio de superjunción (SJ) y iniciada por Infineon Technologies.El 600V CoolMOS y el comercioLa serie P7 es el sucesor exitoso de la serie CoolMOSandtrade. La serie P6 combina las ventajas de un cambio rápido de SJMOSFET con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, muy baja tendencia a la rotura,Excepcional robustez de los diodos del cuerpo contra la comutación dura y excelente capacidad ESDAdemás, las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que la aplicación de conmutación sea aún más eficiente, más compacta y mucho más fría.

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Información

Categoría	Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales	ynbsp;
El Sr.	Tecnologías Infineon	ynbsp;
Serie	En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones, el número de usuarios es el siguiente:	ynbsp;
Embalaje	El tubo	ynbsp;
Estado de las partes	Actividad	ynbsp;
Tipo de FET	N-canal	ynbsp;
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)	ynbsp;
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)	Las demás:	ynbsp;
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25anddeg;C	9A (Tc)	ynbsp;
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)	10 V	ynbsp;
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 2.7A, 10V	ynbsp;
Vgs(th) (máximo) @ Id	4V @ 140 y micro;A	ynbsp;
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	Las demás:	ynbsp;
Vgs (máximo)	yplusmn;20V	ynbsp;
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	555 pF @ 400 V	ynbsp;
Característica del FET	-	ynbsp;
Disposición de energía (máximo)	22 W (Tc)	ynbsp;
Temperatura de funcionamiento	-40 y grado C ~ 150 y grado C (TJ)	ynbsp;
Grado	-	ynbsp;
Calificación	-	ynbsp;
Tipo de montaje	A través del agujero	ynbsp;
Paquete de dispositivos del proveedor	Se aplicará el procedimiento siguiente:	ynbsp;
Envase / estuche	TO-220-3 Envase completo	ynbsp;
Número del producto de base	IPA60R360: las condiciones de los productos

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Dibujo

ynbsp;

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2Producir antena de comunicación, cable coaxial de RF, conector de RF, terminales.

3Distribuir módulos GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G y LTE.

Nuestros productos de alta calidad, precio competitivo y servicio profesional,

Asegúrese de satisfacer sus necesidades de todo tipo de componentes.

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Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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