IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOSandtrade; 360mandOmega; RDS(on) 11A Corriente Pérdidas de Conmutación Ultra-Bajas Alta Eficiencia Protección ESD Robusta Paquete TO-220 para SMPS y Aplicaciones Industriales
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Características
andbull;Adecuado para conmutación dura y blanda (PFC y LLC) debido a una robustez de conmutación excepcional
andbull;Reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción
andbull;Excelente robustez ESD >2kV (HBM) para todos los productos
andbull;Mejor RDS(on)/productos de paquete en comparación con la competencia, habilitado por un bajo RDS(on)*A (por debajo de 1Ohm*mmandsup2;)
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Beneficios
andbull;Facilidad de uso y diseño rápido gracias a la baja tendencia al ringing y el uso en etapas PFC y PWM
andbull;Gestión térmica simplificada debido a las bajas pérdidas de conmutación y conducción
andbull;Soluciones de densidad de potencia incrementadas gracias al uso de productos con una huella más pequeña y una mayor calidad de fabricación debido a la protección ESD >2kV andbull;Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones y rangos de potencia
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Aplicaciones potenciales
Etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes, por ejemplo, PCSilverbox, Adaptador, LCD y PDPTV, Iluminación, Servidor, Telecomunicaciones y UPS.
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Validación del producto
Calificado según el estándar JEDEC
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MOSFET
Dispositivo de potencia CoolMOSandordf; P7 de 600V
La plataforma CoolMOSandtrade; de séptima generación es una tecnología revolucionaria para MOSFETs de potencia de alto voltaje, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera por Infineon Technologies. La serie CoolMOSandtrade; P7 de 600V es el sucesor de la serie CoolMOSandtrade; P6. Combina los beneficios de un SJMOSFET de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, muy baja tendencia al ringing, excelente robustez del diodo del cuerpo contra la conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas y mucho más frías.
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INFORMACIÓN
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Categoría
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Mfr
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Embalaje
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Estado de la pieza
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Tipo de FET
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25anddeg;C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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Carga de puerta (Qg) (Máx) @ Vgs
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Vgs (Máx)
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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Característica FET
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Disipación de potencia (Máx)
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Temperatura de funcionamiento
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-40anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grado
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Calificación
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Tipo de montaje
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete / Caja
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Número de producto base
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Dibujo
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