IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS™ 360mΩ RDS(on) 11A Corriente Pérdidas de Conmutación Ultra-Bajas Alta Eficiencia Protección ESD Robusta Paquete TO-220 para SMPS y Aplicaciones Industriales
Características
•Adecuado para conmutación dura y blanda (PFC y LLC) debido a una robustez de conmutación excepcional
•Reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción
•Excelente robustez ESD >2kV (HBM) para todos los productos
•Mejor RDS(on)/productos de paquete en comparación con la competencia, habilitado por un bajo RDS(on)*A (por debajo de 1Ohm*mm²)
Beneficios
•Facilidad de uso y diseño rápido gracias a la baja tendencia al ringing y el uso en etapas PFC y PWM
•Gestión térmica simplificada debido a las bajas pérdidas de conmutación y conducción
•Soluciones de densidad de potencia incrementadas gracias al uso de productos con una huella más pequeña y una mayor calidad de fabricación debido a la protección ESD >2kV •Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones y rangos de potencia
Aplicaciones potenciales
Etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes, por ejemplo, PCSilverbox, Adaptador, LCD y PDPTV, Iluminación, Servidor, Telecomunicaciones y UPS.
Validación del producto
Calificado según el estándar JEDEC
MOSFET
Dispositivo de potencia CoolMOSª P7 de 600V
La plataforma CoolMOS™ de séptima generación es una tecnología revolucionaria para MOSFETs de potencia de alto voltaje, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera por Infineon Technologies. La serie CoolMOS™ P7 de 600V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6. Combina los beneficios de un SJMOSFET de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, muy baja tendencia al ringing, excelente robustez del diodo del cuerpo contra la conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas y mucho más frías.
INFORMACIÓN
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Mfr
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Tipo de FET
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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Carga de puerta (Qg) (Máx) @ Vgs
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Vgs (Máx)
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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Característica FET
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Disipación de potencia (Máx)
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Temperatura de funcionamiento
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Grado
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Calificación
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Tipo de montaje
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete / Caja
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Número de producto base
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Dibujo
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