FM24CL64B-GTR 64Kb I2C F-RAM con 100 trillones de ciclos de escritura 150ns Tiempo de acceso 1MHz Velocidad 2.7-3.6V Operación Industrial Temp and 8 TSSOP de plomo

FM24CL64B-GTR 64Kb I2C F-RAM con 100 trillones de ciclos de escritura 150ns Tiempo de acceso 1MHz Velocidad 2.7-3.6V Operación Industrial Temp and 8 TSSOP de plomo

Características

■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 64 Kbits (F-RAM) organizada lógicamente como 8K × 8

¢ Alta resistencia 100 billones (1014) de lectura y escritura

¢ Retención de datos durante 151 años (véase Retención y duración de los datos en la página 10)

NoDelayTM escribe

Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad

■ Interfaz de serie rápida de dos cables (I2C)

Frecuencia de hasta 1 MHz

¢ Reemplazo directo del hardware para EEPROM serie (I2C)

Apoya tiempos heredados para 100 kHz y 400 kHz

■ Bajo consumo energético

100 A (típica) corriente activa a 100 kHz

Corriente de espera (típica) de 3 A

■ Funcionamiento de tensión: VDD = 2,7 V a 3,65 V

■ Temperatura industrial: de 40°C a +85°C

■ Los paquetes

¢ paquete de circuito integrado de contorno pequeño de 8 pines (SOIC)

■ Restricción de las sustancias peligrosas (RoHS)

Aplicaciones

Automatización industrial

Registro de datos en tiempo real (por ejemplo, registros de sensores, estado del equipo)

Almacenamiento de parámetros de la línea de producción (suporta escrituras de alta frecuencia)

Protección contra fallos (salvamiento de datos críticos en caso de pérdida repentina de energía)

Contadores inteligentes

Almacenamiento de datos de medición de energía (suporta miles de escrituras diarias)

Registros de cambios arancelarios

Registro de eventos a prueba de manipulaciones

Electrónica automotriz

Registro de los datos de conducción (cuadro negro)

Almacenamiento de parámetros de ECU

Información sobre el kilometraje y el mantenimiento

Dispositivos médicos

Registro de los datos de seguimiento del paciente

Registros de uso del equipo

Almacenamiento de parámetros de calibración

Dispositivos de IoT

Buffering de datos de computación de borde

La copia de seguridad de actualización de firmware

Almacenamiento de parámetros de configuración

Electrónica de consumo

Memoria del estado del dispositivo inteligente

Seguimiento de la actividad de los dispositivos portátiles

Guardar el progreso del juego en tiempo real

Descripción

La FM24CL64B es una memoria no volátil de 64 Kbits que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado.Proporciona una conservación fiable de los datos durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, gastos generales y problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por EEPROM y otras memorias no volátiles.

A diferencia de EEPROM, el FM24CL64B realiza operaciones de escritura a velocidad de bus.Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.F-RAM exhibe una potencia mucho menor durante las escrituras que EEPROM ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de alimentación internamente elevado para los circuitos de escrituraEl FM24CL64B es capaz de soportar 1014 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.

Estas capacidades hacen que el FM24CL64B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil, que requieren escrituras frecuentes o rápidas.,La combinación de características permite una grabación de datos más frecuente con menos gastos generales para el sistema.

El FM24CL64B ofrece beneficios sustanciales a los usuarios de EEPROM serie (I2C) como un reemplazo de hardware.Las especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperaturas industriales de ¥40 ¥C a +85 ¥C.

Información

Dibujo

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