FM24CL04B-G FRAM de 4Kb y 5V con resistencia ilimitada, escrituras sin demora de 150ns, interfaz I2C de 1MHz, 10^14 ciclos de lectura/escritura, baja corriente en espera de 50μA y retención de datos de 40 años

FM24CL04B-G FRAM de 4 Kb y 5 V con resistencia ilimitada Escrituras sin demora de 150 ns Interfaz I2C de 1 MHz 10^14 ciclos de lectura/escritura Baja corriente en espera de 50 μA y retención de datos por 40 años

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 4 Kbit organizada lógicamente como 512 × 8
  • Alta resistencia 100 billones (10¹⁴) leer/escribir
  • Retención de datos por 151 años (consulte Retención y resistencia de datos en la página 10)
  • NoDelay™ escribe
  • Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
• Interfaz serial rápida de 2 cables (I2C)
  • Frecuencia de hasta 1 MHz
  • Reemplazo directo de hardware para EEPROM serial (I2C)
  • Admite tiempos heredados para 100 kHz y 400 kHz
• Bajo consumo de energía
  • Corriente activa de 100 μA a 100 kHz
  • Corriente de espera de 3 μA (típica)
• Operación de voltaje: VDD = 2,7 V a 3,65 V
• Temperatura industrial: -40 ℃ a +85 ℃
• Paquete de circuito integrado de contorno pequeño (SOIC) de 8 pines
• Cumple con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS)

La FM24CL04B es una memoria no volátil de 4 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a una RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 151 años y al mismo tiempo elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por la EEPROM y otras memorias no volátiles.

A diferencia de EEPROM, el FM24CL04B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere exitosamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de realizar un sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Además, la F-RAM exhibe una potencia mucho menor durante las escrituras que la EEPROM, ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de suministro de energía elevado internamente para los circuitos de escritura. El FM24CL04B es capaz de soportar 10¹⁴ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.

Estas capacidades hacen que el FM24CL04B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil, que requieren escrituras frecuentes o rápidas. Los ejemplos van desde el registro de datos, donde el número de ciclos de escritura puede ser crítico, hasta controles industriales exigentes donde el largo tiempo de escritura de la EEPROM puede provocar la pérdida de datos. La combinación de funciones permite una escritura de datos más frecuente con menos gastos generales para el sistema.

El FM24CL04B proporciona beneficios sustanciales a los usuarios de EEPROM serie (I2C) como reemplazo directo de hardware. Las especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C.

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