Ultra-Low RDS (ON) 0.02Ω IRF4905PBF P-CHANEL -55A -60V TO-220 PAQUETE
Atributos del producto
| Atributo |
Valor |
| Función |
Agudo, baja hacia abajo |
| Configuración de salida |
Positivo o negativo |
| Topología |
Buck, Boost |
| Tipo de salida |
Ajustable |
| Número de salidas |
1 |
Descripción del Producto
Ultra-Low RDS (ON) 0.02 Ω IRF4905PBF P-CHANEL -55A -60V TO-220 PAQUETE ALTA ALTA AVALANCE Avalanche Nivel lógico Puerta Puerta baja CARGA DE CUJA BAJA 110 NC Cambio rápido Alta eficiencia energética
Características
- Tecnología de procesos avanzados
- Ultra baja en resistencia
- Calificación dinámica de DV/DT
- Temperatura de funcionamiento de 175 ° C
- Conmutación rápida
- Canal P
- Totalmente con calificación de avalancha
- Sin plomo
Aplicaciones
- Cambio de encendido:A menudo se usa en sistemas de distribución de energía, como placas base, servidores y equipos de comunicación como un interruptor de lado alto para controlar el encendido/apagado de otros circuitos. Ofrece alta eficiencia y caída de bajo voltaje.
- Motor Drive and Control:Adecuado para conducir motores DC de alta potencia, como los de robótica, equipos de automatización industrial y herramientas eléctricas. Se usa comúnmente en configuraciones de puente H para rotación hacia adelante/inversa y regulación de velocidad.
- Convertidores DC-DC (Buck/Boost):En los circuitos de conversión de potencia basados en rectificadores sincrónicos, puede servir como un interruptor de lado alto. Es particularmente adecuado para aplicaciones con bajo voltaje de entrada (<60V) pero altos requisitos de corriente, reduciendo significativamente las pérdidas de conducción y mejorando la eficiencia general.
- Protección y administración de la batería:Como P-MOS, es inherentemente adecuado para cambiar de carga en dispositivos con batería. Se usa comúnmente en circuitos de protección de la batería de litio y BMS (sistemas de gestión de baterías) para administrar las rutas de carga y descarga. Su baja resistencia ayuda a reducir la generación de calor y extender la duración de la batería.
- Inversores y UPS (alimentación ininterrumpida):Se utiliza para cambiar de encendido y rueda libre en puentes de inversor de potencia pequeña a media y sistemas de energía de respaldo.
Descripción detallada
Los hexfets de quinta generación del rectificador internacional utilizan técnicas de procesamiento avanzado para lograr una resistencia en el área de silicio extremadamente baja. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos robustos por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales en los niveles de disipación de potencia a aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo de paquete de TO 220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Especificaciones técnicas
| Categoría |
Productos de semiconductores discretos Transistores Fets, Mosfets Fets individuales, MOSFETS |
| MFR |
Infineon Technologies |
| Serie |
Hexfet® |
| Embalaje |
Tubo |
| Estatus de parte |
Activo |
| Tipo de FET |
Canal P |
| Tecnología |
MOSFET (óxido de metal) |
| Drene a la fuente de voltaje (VDSS) |
55 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) @ 25 ° C |
74a (TC) |
| Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido) |
10V |
| Rds on (max) @ id, VGS |
20mohm @ 38a, 10V |
| VGS (th) (max) @ id |
4V @ 250 µA |
| CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS |
180 NC @ 10 V |
| VGS (Max) |
± 20V |
| Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds |
3400 pf @ 25 V |
| Característica de FET |
- |
| Disipación de potencia (Max) |
200W (TC) |
| Temperatura de funcionamiento |
-55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| Calificación |
- |
| Calificación |
- |
| Tipo de montaje |
A través del agujero |
| Paquete de dispositivos de proveedor |
A 220B |
| Paquete / estuche |
A 220-3 |
| Número de producto base |
IRF4905 |
Dibujo de productos
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