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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Función: | Agudo, baja hacia abajo | Configuración de salida: | Positivo o negativo |
|---|---|---|---|
| Topología: | Buck, Boost | Tipo de salida: | Ajustable |
| Número de salidas: | 1 | ||
| Resaltar: | MOSFET de Canal P 55A Paquete TO-220,MOSFET de compuerta de nivel lógico de alta corriente,MOSFET de conmutación rápida con clasificación de avalancha |
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| Atributo | Valor |
|---|---|
| Función | Aumento, Reducción |
| Configuración de Salida | Positivo o Negativo |
| Topología | Buck, Boost |
| Tipo de Salida | Ajustable |
| Número de Salidas | 1 |
Ultra-Low Rds(on) 0.02 Ω IRF4905PBF Canal P -55A -60V Paquete TO-220 Alta Corriente Robusto Avalancha Clasificado Nivel Lógico Puerta Baja Carga de Puerta 110nC Conmutación Rápida Alta Eficiencia Energética
Los HEXFETs de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia en encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales en niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO 220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
| Categoría | Productos de Semiconductores Discretos Transistores FET, MOSFET FETs individuales, MOSFETs |
|---|---|
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Embalaje | Tubo |
| Estado de la Pieza | Activo |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnología | MOSFET (Óxido de Metal) |
| Tensión Drenaje-Fuente (Vdss) | 55 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C | 74A (Tc) |
| Tensión de Conducción (Máx. Rds On, Mín. Rds On) | 10V |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Vgs (Máx.) | ±20V |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3400 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de Potencia (Máx.) | 200W (Tc) |
| Temperatura de Funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de Montaje | Orificio Pasante |
| Paquete del Dispositivo del Proveedor | TO-220AB |
| Paquete / Caja | TO-220-3 |
| Número de Producto Base | IRF4905 |
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