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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Función: | Agudo, baja hacia abajo | Configuración de salida: | Positivo o negativo |
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| Topología: | Buck, Boost | Tipo de salida: | Ajustable |
| Número de salidas: | 1 | ||
| Resaltar: | MOSFET de doble canal N + P 20V SOIC-8,MOSFET de conmutación rápida de potencia de nivel lógico,Gestión IC del poder de la eficacia alta |
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| Función | Step-Up, Step-Down (Elevación, Reducción) |
| Configuración de Salida | Positiva o Negativa |
| Topología | Buck, Boost (Reducción, Elevación) |
| Tipo de Salida | Ajustable |
| Número de Salidas | 1 |
Este MOSFET de potencia HEXFET® presenta una configuración de canal N+P dual con una clasificación de corriente de ±5.3A y un voltaje de 20V en un encapsulado SOIC-8. Con una Rds(on) ultra baja de 0.045Ω y un nivel lógico de 1.8V, ofrece una conmutación rápida y alta eficiencia para aplicaciones de gestión de energía, al tiempo que ahorra espacio.
| Categoría | Productos de Semiconductores Discretos > Transistores > FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Empaquetado | Cinta y Carrete (TR) Cinta Cortada (CT) Digi-Reel® |
| Estado de la Pieza | Obsoleto |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnología | MOSFET (Óxido de Metal) |
| Voltaje Drenaje-Fuente (Vdss) | 12 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Voltaje de Conducción (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Máx) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Máx) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Carga de Puerta (Qg) (Máx) @ Vgs | 38 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Máx) | ±8V |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| Disipación de Potencia (Máx) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura de Funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de Montaje | Montaje en Superficie |
| Encapsulado del Dispositivo del Proveedor | 8-SO |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de Ancho) |
| Número de Producto Base | IRF7420 |
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