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SI2304DS, MOSFET de canal N de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, alto rendimiento, gestión de energía de eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio

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SI2304DS, MOSFET de canal N de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, alto rendimiento, gestión de energía de eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio

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Datos del producto:

Lugar de origen:	PORCELANA
Nombre de la marca:	NXP Semiconductors
Certificación:	CE, GCF, ROHS
Número de modelo:	SI2304DS, 215

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	negotiable
Detalles de empaquetado:	Empaquetado en la bandeja original en primer lugar, luego Carton, al final de la bolsa de burbujas p
Tiempo de entrega:	3-5 días hábiles después de recibir el pago
Condiciones de pago:	T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente:	1000pcs por mes

Contacto

Descripción detallada del producto

Función:	Agudo, baja hacia abajo	Configuración de salida:	Positivo o negativo
Topología:	Buck, Boost	Tipo de salida:	Ajustable
Número de salidas:	1

SI2304DS, MOSFET N-Channel de 20 V y 3,7 A con RDS(on) ultra bajo de 45 mΩ, paquete SOT-23, gestión de energía de alta eficiencia mejorada y accionamiento de puerta de nivel lógico para diseños con limitaciones de espacio

Características

Tecnología TrenchMOS™

Conmutación muy rápida

Paquete de montaje en superficie subminiatura.

Aplicaciones

Gestión de baterías

Interruptor de alta velocidad

Convertidor de CC a CC de baja potencia.

Descripción

Transistor de efecto de campo de modo de realce de canal N en un paquete de plástico que utiliza la tecnología TrenchMOS™1

Disponibilidad del producto: SI2304DS en SOT23.

INFORMACIÓN

Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET individuales, MOSFET
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Empaquetado	Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de la pieza	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)	30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1,7 A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 500 mA, 10 V
Vgs(th) (Máx) @ Id	2 V @ 1 mA
Carga de puerta (Qg) (Máx) @ Vgs	4,6 nC @ 10 V
Vgs (Máx)	±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds	195 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	830 mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dibujo

Nuestra ventaja:

Productos de alta calidad --- nuestras ofertas son 100% nuevas y originales, ROHS
Precio competitivo --- buenos canales de compra con buen precio.
Servicio profesional --- pruebas de calidad estrictas antes del envío y un servicio postventa perfecto después de la compra.
Inventario adecuado --- Con el apoyo de nuestro sólido equipo de compras,
Entrega rápida --- enviaremos los productos dentro de 1-3 días hábiles después de que se confirme el pago.

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Lista de productos
Suministramos una serie de componentes electrónicos, una gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para la lista de materiales (BOM) de la PCB, en una palabra, puede obtener una solución integral aquí,

Las ofertas incluyen:
Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistencia, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque de terminales, cristal y oscilador, inductor, sensor, transformador, controlador IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuertes en marcas:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

etiqueta:

Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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