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ofrecemos servicio todo en uno de la solución, de los módulos de comunicación, de las antenas, del PWB, de PCBA, y de todos los componentes para PWB Bom.

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SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
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Datos del producto:
Lugar de origen: PORCELANA
Nombre de la marca: Toshiba
Certificación: CE, GCF, ROHS
Número de modelo: SSM3K361R, LF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: Empaquetado en la bandeja original en primer lugar, luego Carton, al final de la bolsa de burbujas p
Tiempo de entrega: 3-5 días hábiles después de recibir el pago
Condiciones de pago: T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente: 1000pcs por mes
Descripción detallada del producto
Función: Agudo, baja hacia abajo Configuración de salida: Positivo o negativo
Topología: Buck, Boost Tipo de salida: Ajustable
Número de salidas: 1

SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos

 

Características 

Calificado AEC-Q101 (consulte la lista de números de piezas ordenables)

175°C MOSFET

4.5 V de accionamiento

Resistencia de baja fuente de drenaje:

El valor de las emisiones de CO2 emitidas por la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica de la central eléctrica.

RDS ((ON) = 51 mΩ (típico) (@VGS = 10 V)

 

Aplicaciones

• Interruptores de gestión de energía

• Conversores de corriente continua

 

Descripción

El SSM3K361R, LFes un transistor de efecto de campo de modo de mejora N-canal (MOSFET) diseñado en un paquete de montaje superficial compacto SOT-23.Está diseñado para proporcionar una alta eficiencia y densidad de energía en un espacio mínimo de la placa, por lo que es una solución ideal para una amplia gama de aplicaciones de gestión de energía y conmutación en dispositivos electrónicos portátiles y de espacio limitado.

 

Información

Categoría
El Sr.
Serie
Embalaje
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Estado de las partes
Actividad
Tipo de FET
Tecnología
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido)
4.5V y 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
Se aplicarán las siguientes medidas:
Vgs(th) (máximo) @ Id
2.5V @ 100μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
3.2 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
430 pF @ 15 V
Característica del FET
-
Disposición de energía (máximo)
1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
175 °C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor
El SOT-23F
Envase / estuche
Número del producto de base

 

Dibujo

SSM3K361R,LF MOSFET de N-Canal 20V 3A con RDS de 40mΩ ultrabajo ((on) SOT-23 Paquete Alta densidad de potencia Eficiencia superior Conmutación rápida y control de nivel lógico para diseños compactos 0

Nuestra ventaja:Los teléfonos, las PDA, las computadoras portátiles.

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Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en el grupo incluyen:

Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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