BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo 170mΩ RDS(on), 20V VDS, 100V, clasificación de avalancha. Ideal para conmutación de baja potencia, conmutación de carga y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD.

BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo RDS(on) de 170mΩ, VDS de 20V, VDS de 100V, clasificación de avalancha, ideal para conmutación de carga de baja potencia y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD

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Características

andbull;HBM Clase 0A, MM Clase M1B (Nota 4)

andbull;Prefijo BVSS para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; Calificado AECandminus;Q101 y capaz de PPAP

andbull;Estos dispositivos no contienen Pb y cumplen con RoHS

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Aplicaciones

• Conmutación de carga: Controlar el encendido/apagado de secciones de un circuito.

• Cambio de nivel: Convertir señales entre circuitos de diferentes dominios de voltaje (por ejemplo, convertir una señal de 3,3 V a 5 V).

• Control de LED: Actuar como un interruptor para controlar los estados de encendido/apagado de los LED o para la atenuación PWM simple.

• Buffer/Control de interfaz lógica: Mejorar la capacidad de control de los pines GPIO del microcontrolador para controlar cargas más grandes.

• Conmutación de alta velocidad: Se utiliza en la rectificación síncrona del lado secundario en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CC (baja potencia).

• Electrónica de consumo: Dispositivos portátiles como teléfonos móviles, tabletas, cámaras digitales.

• Electrónica automotriz: Módulos de control de carrocería, interfaces de sensores, etc. (Nota: Verifique si la pieza específica está calificada por AEC; el BSS123LT1G es típicamente de grado industrial/comercial).

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Descripción

1: Voltaje de umbral bajo (Vgs(th)): Típicamente entre 1,6 V y 2,1 V, lo que significa que puede ser controlado directamente por voltajes bajos (por ejemplo, 3,3 V o incluso 2,5 V

GPIO de un microcontrolador), lo que lo hace ideal para aplicaciones de nivel lógico.

2: Baja resistencia de encendido (RDS(on)): Máximo de solo 6Ω a 10V Vgs y 10Ω a 4.5V Vgs. Un RDS(on) más bajo significa menos pérdida de potencia y voltaje

caída cuando se enciende, lo que lleva a una mayor eficiencia.

3: Paquete pequeño (SOT-23): Huella muy pequeña, lo que ahorra espacio en la PCB, ideal para la electrónica compacta moderna.

4: Rendimiento de conmutación de alta velocidad: Cuenta con velocidades de conmutación rápidas, adecuadas para aplicaciones que requieren conmutación frecuente, como PWM

control.

5: Corriente de drenaje continua (Id): Hasta 170mA, adecuado para controlar cargas pequeñas como LED, pequeños relés, motores, etc.

6: Voltaje de drenaje-fuente (Vdss): Máximo de 100V, lo que permite su uso en circuitos con voltajes relativamente más altos.

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INFORMACIÓN

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Dibujo

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