BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo 170mΩ RDS(on), 20V VDS, 100V, clasificación de avalancha. Ideal para conmutación de baja potencia, conmutación de carga y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD.

BSS123LT1G MOSFET de canal N, bajo RDS(on) de 170 mΩ, VDS de 20 V, VDS de 100 V, clasificación de avalancha, ideal para conmutación de carga de baja potencia y conversión CC-CC con su encapsulado SOT-23 y protección ESD

Características

• Clase HBM 0A, Clase MM M1B (Nota 4)

• Prefijo BVSS para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; Calificado AEC−Q101 y capaz de PPAP

• Estos dispositivos no contienen plomo y cumplen con RoHS

Aplicaciones

• Conmutación de carga: Controlar el encendido/apagado de secciones de un circuito.

• Cambio de nivel: Convertir señales entre circuitos de diferentes dominios de voltaje (por ejemplo, convertir una señal de 3,3 V a 5 V).

• Control de LED: Actuar como un interruptor para controlar los estados de encendido/apagado de los LED o para la atenuación PWM simple.

• Buffer/Control de interfaz lógica: Mejorar la capacidad de control de los pines GPIO del microcontrolador para controlar cargas más grandes.

• Conmutación de alta velocidad: Se utiliza en la rectificación síncrona del lado secundario en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CC (baja potencia).

• Electrónica de consumo: Dispositivos portátiles como teléfonos móviles, tabletas, cámaras digitales.

• Electrónica automotriz: Módulos de control de carrocería, interfaces de sensores, etc. (Nota: Verifique si la pieza específica está calificada por AEC; el BSS123LT1G es típicamente de grado industrial/comercial).

Descripción

1: Voltaje de umbral bajo (Vgs(th)): Típicamente entre 1,6 V y 2,1 V, lo que significa que puede ser controlado directamente por voltajes bajos (por ejemplo, 3,3 V o incluso 2,5 V

GPIO de un microcontrolador), lo que lo hace ideal para aplicaciones de nivel lógico.

2: Baja resistencia de encendido (RDS(on)): Máximo de solo 6Ω a 10 V Vgs y 10Ω a 4,5 V Vgs. Un RDS(on) más bajo significa menos pérdida de energía y voltaje

caída cuando se enciende, lo que lleva a una mayor eficiencia.

3: Paquete pequeño (SOT-23): Huella muy pequeña, lo que ahorra espacio en la PCB, ideal para la electrónica compacta moderna.

4: Rendimiento de conmutación de alta velocidad: Cuenta con velocidades de conmutación rápidas, adecuadas para aplicaciones que requieren conmutación frecuente, como PWM

control.

5: Corriente de drenaje continua (Id): Hasta 170 mA, adecuado para controlar cargas pequeñas como LED, pequeños relés, motores, etc.

6: Voltaje de drenaje-fuente (Vdss): Máximo de 100 V, lo que permite su uso en circuitos con voltajes relativamente más altos.

INFORMACIÓN

Dibujo

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