IRFB4227PBF MOSFET de 200V/195A con Ultra-Baja Rds(on) de 4.5mΩ, Paquete TO-220, Accionamiento a Nivel Lógico, Clasificado para Avalancha, Conmutación Rápida, Alta Eficiencia, Diseño Robusto para Control de Motores y Sistemas de Alimentación

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET con Ultra-Bajo 4.5mΩ Rds ((on) TO-220 Package Drive de Nivel Lógico Avalanche Rated Conmutación rápida Alta eficiencia Diseño robusto para sistemas de control y energía del motor

Características

Tecnología avanzada de procesos

Parámetros clave optimizados para aplicaciones PDP Sustain, Recuperación de energía y Pass Switch

Baja calificación de EPULSE para reducir la disipación de energía en las aplicaciones PDP Sustain, Recuperación de energía y Switch de paso

Baja QG para una respuesta rápida

Capacidad de corriente de pico repetitiva alta para un funcionamiento fiable

Tiempos cortos de caída y subida para cambiar rápidamente

175°C Temperatura de la unión de funcionamiento para mejorar la robustez

Capacidad de avalancha repetitiva para la robustez y fiabilidad

Amplificador de audio de clase D de 300W a 500W (medio puente)

Aplicaciones

1:Motor de accionamiento y control:

Esto es sumás típicoSu alto voltaje (200V), corriente extremadamente alta (195A) y resistencia de encendido ultrabaja (4,5mΩ) lo hacen altamente eficiente para conducir y controlar motores de corriente continua de alta potencia,motores de corriente continua sin escobillas (BLDC)Es ampliamente utilizado en automatización industrial, robótica, vehículos eléctricos (por ejemplo, controladores de motor), drones ESC (controladores de velocidad electrónicos), y más.

2:Fuentes de alimentación en modo conmutador (SMPS):
Especialmente adecuado paraconvertidores de corriente continua a corriente continua de alta potenciaSu bajo Rds ((on) reduce significativamente las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia general del suministro de energía.

3Las demás máquinas y aparatos:
Una opción ideal para puentes de inversores en inversores solares fotovoltaicos, UPS (alimentos de energía ininterrumpidos), convertidores de frecuencia y máquinas de soldadura, donde convierte la energía CC en energía CA.

4:Conmutación de alta corriente y de carga:
Se puede utilizar para construir relés de estado sólido, interruptores de carga electrónicos y otros dispositivos para controlar cargas de CC de alta potencia.

Descripción

Este MOSFET de potencia HEXFET® está diseñado específicamente para aplicaciones de interruptores de recuperación y transmisión de energía en paneles de pantalla de plasma.Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia al encendido por área de silicio y un bajo índice de EPULsE.Las características adicionales de este MOSFET son la temperatura de unión de 175 °C y la alta capacidad de corriente de pico repetitiva.dispositivo robusto y fiable para aplicaciones de conducción PDP.

Información

Dibujo

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