IRFB4227PBF MOSFET de 200V/195A con Ultra-Baja Rds(on) de 4.5mΩ, Paquete TO-220, Accionamiento a Nivel Lógico, Clasificado para Avalancha, Conmutación Rápida, Alta Eficiencia, Diseño Robusto para Control de Motores y Sistemas de Alimentación

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET con Ultra-Bajo 4.5mandOmega; Rds ((on) TO-220 Package Drive de nivel lógico Avalanche Rated Fast Switching Alta eficiencia Diseño robusto para sistemas de control de motor y potencia

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Características

Tecnología avanzada de procesos

Parámetros clave optimizados para aplicaciones PDP Sustain, Recuperación de energía y Pass Switch

Baja calificación de EPULSE para reducir la disipación de energía en las aplicaciones PDP Sustain, Recuperación de energía y Pass Switch

Baja QG para una respuesta rápida

Capacidad de corriente de pico repetitiva alta para un funcionamiento fiable

Tiempos cortos de caída y subida para cambiar rápidamente

Temperatura de las uniones de trabajo de 175°C para mejorar la robustez

Capacidad de avalancha repetitiva para la robustez y fiabilidad

Amplificador de audio de clase D 300W-500W (medio puente)

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Aplicaciones

1:Motor de accionamiento y control:

Esto es sumás típicoSu alto voltaje (200V), corriente extremadamente alta (195A) y resistencia de encendido ultrabaja (4.5mandOmega;) lo hacen altamente eficiente para conducir y controlar motores de CC de alta potencia,motores de corriente continua sin escobillas (BLDC)Es ampliamente utilizado en automatización industrial, robótica, vehículos eléctricos (por ejemplo, controladores de motor), drones ESC (controladores de velocidad electrónicos), y más.

2:Fuentes de alimentación en modo conmutador (SMPS):
Especialmente adecuado paraconvertidores de corriente continua a corriente continua de alta potenciaSu bajo Rds ((on) reduce significativamente las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia general del suministro de energía.

3Las demás máquinas y aparatos:
Es una opción ideal para puentes de inversores en inversores solares fotovoltaicos, UPS (fuentes de alimentación ininterrumpidas), convertidores de frecuencia y máquinas de soldadura, donde convierte la energía CC en energía CA.

4:Conmutación de alta corriente y de carga:
Se puede utilizar para construir relés de estado sólido, interruptores de carga electrónicos y otros dispositivos para controlar cargas de CC de alta potencia.

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Descripción

Este HEXFETandreg; Power MOSFET está diseñado específicamente para sustentación, recuperación de energía y cambios de paso y aplicaciones en paneles de visualización de plasma.Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr yLas características adicionales de este MOSFET son la temperatura de unión de 175°C y la alta capacidad de corriente de pico repetitiva.Estas características se combinan para; hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones de conducción PDP.

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Información

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Dibujo

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