IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Alta Velocidad 10ns SRAM 3.3V Operación Baja Potencia Temperatura Industrial (-40°C a +85°C) Paquete BGA de 48 bolas Operación asincrónica Alta confiabilidad Conservación de datos

IS61WV102416BLL-10TLI SRAM de alta velocidad de 1Mx16 de 10ns, 3.3V, funcionamiento de baja potencia, temperatura industrial (-40°C a +85°C), paquete BGA de 48 bolas, funcionamiento asíncrono, alta fiabilidad, retención de datos

CARACTERÍSTICAS

• Tiempos de acceso de alta velocidad: 8, 10, 20 ns

• Proceso CMOS de alto rendimiento y bajo consumo

• Múltiples pines centrales de alimentación y tierra para una mayor inmunidad al ruido

• Fácil expansión de memoria con opciones CE y OE

• Apagado de CE

• Funcionamiento totalmente estático: no se requiere reloj ni actualización

• Entradas y salidas compatibles con TTL

• Fuente de alimentación única

  Vdd 1.65V a 2.2V (IS61WV102416ALL)

  velocidad = 20ns para

  Vdd 1.65V a 2.2V Vdd 2.4V a 3.6V (IS61/64WV102416BLL)

  velocidad = 10ns para Vdd 2.4V a 3.6V

  velocidad = 8ns para Vdd 3.3V + 5%

• Paquetes disponibles:

  – miniBGA de 48 bolas (9 mm x 11 mm)

  – TSOP de 48 pines (Tipo I)

• Soporte de temperatura industrial y automotriz

• Disponible sin plomo

• Control de datos para bytes superior e inferior

Aplicaciones

1: Automatización industrial (PLC, robótica)

2: Electrónica automotriz (ECU, ADAS)

3: Equipos de red (enrutadores, conmutadores)

4: Sistemas integrados (procesamiento de audio/video, aeroespacial)

5: Almacenamiento en búfer/caché de datos de alta velocidad

Descripción

Los ISSI IS61WV102416ALL/BLL e IS64WV102416BLL son SRAM estáticas de alta velocidad de 16 Mbits organizadas como 1024K palabras por 16 bits. Se fabrican utilizando la tecnología CMOS de alto rendimiento de ISSI. Este proceso altamente fiable, junto con técnicas innovadoras de diseño de circuitos, produce dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo.

Cuando CE está en ALTO (deseleccionado), el dispositivo asume un modo de espera en el que la disipación de energía se puede reducir con los niveles de entrada CMOS.

La fácil expansión de la memoria se proporciona mediante el uso de las entradas Chip Enable y Output Enable, CE y OE. El Write Enable (WE) activo BAJO controla tanto la escritura como la lectura de la memoria. Un byte de datos permite el acceso al Byte Superior (UB) y al Byte Inferior (LB).

El dispositivo está empaquetado en el TSOP de 48 pines estándar JEDEC Tipo I y Mini BGA de 48 pines (9 mm x 11 mm).

INFORMACIÓN

Dibujo

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