STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

STP55NF06FP 55A 60V MOSFET de potencia de canal N con ylt;0.02andOmega; RDS(on) TO-220FP Avalanche Nivel lógico de alta velocidad de conmutación y carga de puerta baja para un control de energía eficiente

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Características

1:Baja resistencia de encendido (Baja RDS)): Resistencia máxima de encendido extremadamente baja de0.02 y Omega;(a Vgs=10V), reduciendo las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia y minimizando la generación de calor.

2: Manejo de corriente alta: Capaz de transportar hastaLas demás:corriente de drenaje continua, con una capacidad de corriente de pulso aún mayor, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta potencia.

3El motor de la puerta de nivel lógico: tensión de umbral baja (Vgs(th) típicamente2V a 4V), permitiendo que seacon una capacidad de transmisión superior a 50 W,(por ejemplo, Arduino, STM32) sin requerir circuitos de cambio de nivel.

4:Velocidad de cambio rápida: Optimizado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, como el control de motores SMPS y PWM, reduciendo las pérdidas de conmutación.

5:Paquete totalmente aislado (TO-220FP FullPak): La encapsulación TO-220FP encierra completamente el disipador de calor metálico, proporcionandoaislamiento mejoradoynbsp;y seguridadal tiempo que simplifica el montaje eliminando la necesidad de almohadillas de aislamiento adicionales.

6:Alta tensión nominal: tensión nominal de la fuente de drenaje (Vds) deLas demás:, ofreciendo un margen suficiente para sistemas de 12 V, 24 V y más altos.

7: Diseño resistente:Variación de las aguas, garantizando la durabilidad bajo los aumentos de energía de la conmutación de carga inductiva (por ejemplo, motores, relés).

8:Carga de puerta baja (Qg): La baja carga total de la puerta reduce los requisitos de conducción y permite un cambio eficiente a alta velocidad.

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Aplicaciones

■ Cambiar de aplicación

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Descripción

Estos Power MOSFETs han sido desarrollados utilizando el único proceso STripFET de STMicroelectronics, que está específicamente diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta.Esto hace que los dispositivos sean adecuados para su uso como interruptor principal en convertidores DC DC aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones de telecomunicaciones y computadoras, y aplicaciones con requisitos de conducción de baja carga de puerta.

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Información

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Dibujo

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