FM25CL64B-GTR F-RAM serie de 64Kb con SPI a 20MHz, escrituras sin retardo, resistencia de 10^14, retención de datos de 151 años, funcionamiento de 2.0-3.6V, -40°C a +85°C y paquete SOIC pequeño

FM25CL64B-GTR F-RAM serie de 64Kb con SPI de 20MHz, escrituras sin retardo, 10^14 de resistencia, retención de datos de 151 años, operación de 2.0-3.6V, -40anddeg;C a +85anddeg;C y paquete SOIC pequeño

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Características

■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 64 Kbit organizada lógicamente como 8K andtimes; 8

andnbsp; ❐ Resistencia de alta gama de 100 billones (1014) lecturas/escrituras

andnbsp; ❐ Retención de datos de 151 años (Ver Retención de Datos y Resistencia en la página 12)

andnbsp; ❐ Escrituras NoDelayandtrade;

andnbsp; ❐ Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad

■ Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida

andnbsp; ❐ Hasta 20 MHz de frecuencia

andnbsp; ❐ Reemplazo directo de hardware para flash serie y EEPROM

andnbsp; ❐ Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)

■ Sofisticado esquema de protección contra escritura

andnbsp; ❐ Protección de hardware mediante el pin Write Protect (WP)

andnbsp; ❐ Protección de software mediante la instrucción Write Disable

andnbsp; ❐ Protección de bloque de software para 1/4, 1/2 o matriz completa

■ Bajo consumo de energía

andnbsp; ❐ 200 A de corriente activa a 1 MHz

andnbsp; ❐ 3 A (típico) de corriente en espera

■ Operación de bajo voltaje: VDD = 2.7 V a 3.65 V

■ Temperatura industrial: andndash;40 C a +85 C

■ Paquetes

andnbsp; ❐ Paquete de circuito integrado de contorno pequeño de 8 pines (SOIC)

andnbsp; ❐ Paquete plano dual delgado sin plomo (DFN) de 8 pines

■ Cumplimiento de la restricción de sustancias peligrosas (RoHS)

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Aplicaciones

1. Sistemas de automatización y control industrial

Ejemplos: PLC (Controladores Lógicos Programables), sensores inteligentes, accionamientos de motores, robots industriales.

Por qué es adecuado: Estos sistemas necesitan registrar de forma continua y rápida los parámetros operativos, los registros de eventos, los datos de fallos o los recuentos de producción. La ultra alta resistencia y las escrituras rápidas y sin retardo de la F-RAM garantizan que los datos críticos se guarden por completo incluso en el momento de la pérdida de energía, evitando la pérdida de datos debido a los retrasos de escritura.

2. Electrónica automotriz

Ejemplos: Grabadoras de datos de eventos (EDR) en ADAS, cajas negras automotrices, grupos de instrumentos, módulos de control de carrocería.

Por qué es adecuado: Requiere el registro instantáneo de grandes cantidades de datos de sensores durante un accidente o una pérdida repentina de energía. La característica de escritura rápida de la F-RAM es ideal. Su alta resistencia también es adecuada para datos actualizados con frecuencia, como el kilometraje o los recuentos de apertura/cierre de puertas.

3. Equipos médicos

Ejemplos: Monitores médicos portátiles (por ejemplo, medidores de glucosa, monitores de frecuencia cardíaca), dispositivos implantables, equipos de diagnóstico.

Por qué es adecuado: Los dispositivos necesitan registrar de forma fiable los datos del paciente, los registros de uso y la información de calibración. El bajo consumo de energía y la alta fiabilidad de la F-RAM son cruciales para la seguridad de los datos y el funcionamiento estable a largo plazo.

4. Sistemas inteligentes de medición y medición

Ejemplos: Medidores inteligentes de electricidad, medidores de agua, medidores de gas.

Por qué es adecuado: Requiere la actualización de los datos de uso acumulado cada pocos segundos y el guardado instantáneo del valor final antes de la pérdida de energía. Las escrituras frecuentes diarias son un desafío importante para la EEPROM, pero no son un problema para la F-RAM.

5. Registradores de datos

Ejemplos: Monitoreo ambiental (registradores de temperatura, humedad, presión), rastreadores GPS.

Por qué es adecuado: Estas aplicaciones requieren el registro continuo de flujos de datos a altas frecuencias. La alta velocidad de escritura y la resistencia infinita de la F-RAM permiten el registro de datos sin problemas sin el riesgo de pérdida de datos o cuellos de botella causados por los retrasos de escritura inherentes a la EEPROM.

6. Electrónica de consumo de alta gama

Ejemplos: Equipos de audio profesionales, concentradores domésticos inteligentes, periféricos de juegos.

Por qué es adecuado: Cuando se necesita guardar rápidamente la configuración del usuario, el estado del juego o los datos de los sensores en tiempo real, la F-RAM proporciona una experiencia más fluida y confiable que la EEPROM.

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Descripción

La FM25CL64B es una memoria no volátil de 64 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras de forma similar a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel de sistema causados por la memoria flash serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles.

A diferencia de la memoria flash serie y la EEPROM, la FM25CL64B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se incurre en retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. La FM25CL64B es capaz de admitir 1014 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que la EEPROM.

Estas capacidades hacen que la FM25CL64B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o rápidas. Los ejemplos van desde la recopilación de datos, donde el número de ciclos de escritura puede ser crítico, hasta los exigentes controles industriales donde el largo tiempo de escritura de la memoria flash serie o la EEPROM puede causar la pérdida de datos.

La FM25CL64B proporciona beneficios sustanciales a los usuarios de EEPROM serie o flash como un reemplazo directo de hardware. La FM25CL64B utiliza el bus SPI de alta velocidad, lo que mejora la capacidad de escritura de alta velocidad de la tecnología F-RAM. Las especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperatura industrial de andndash;40 C a +85 C.

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INFORMACIÓN

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