FM25CL64B-GTR F-RAM serie de 64Kb con SPI a 20MHz, escrituras sin retardo, resistencia de 10^14, retención de datos de 151 años, funcionamiento de 2.0-3.6V, -40°C a +85°C y paquete SOIC pequeño

FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM con 20MHz SPI Sin retraso de escritura 10^14 Resistencia de 151 años de retención de datos 2.0-3.6V Operación -40anddeg;C a +85anddeg;C y paquete SOIC pequeño

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Características

■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 64 Kbits (F-RAM) organizada lógicamente en 8K y veces;

ynbsp; ?? Alta resistencia 100 billones (1014) de lectura/escritura

ynbsp; ¢ retención de datos durante 151 años (ver retención y duración de los datos en la página 12)

ynbsp; NoDelayandtrade; escribe

ynbsp; ?? Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad

■ Interfaz periférica serie muy rápida (SPI)

ynbsp; hasta 20 MHz de frecuencia

ynbsp; ?? Reemplazo directo de hardware para flash en serie y EEPROM

soporta el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)

■ Sistema de protección de escritura sofisticado

Protección de hardware mediante el pin Protección por escritura (WP)

Protección de software utilizando la instrucción Write Disable

Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o toda la matriz

■ Bajo consumo energético

ynbsp; ¥ 200 ¥A de corriente activa a 1 MHz

corriente de espera de 3 A (típica)

■ Baja tensión: VDD = 2,7 V a 3,65 V

■ Temperatura industrial: entre 40 °C y + 85 °C

■ Los paquetes

ynbsp; paquete de circuito integrado de contorno pequeño de 8 pines (SOIC)

ynbsp; ¢ paquete doble plano delgado sin cables (DFN) de 8 pines

■ Restricción de las sustancias peligrosas (RoHS)

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Aplicaciones

1Automatización industrial y sistemas de control

Ejemplos: PLC (controladores lógicos programables), sensores inteligentes, accionamientos de motores, robots industriales.

¿Por qué es adecuado?: Estos sistemas necesitan registrar continuamente y rápidamente los parámetros operativos, los registros de eventos, los datos de fallas o los recuentos de producción.Las escrituras sin retraso aseguran que los datos críticos se guardan completamente incluso en el momento de la pérdida de energía, evitando la pérdida de datos debido a los retrasos de escritura.

2. Electrónica automotriz

Ejemplos: Registradores de datos de eventos (EDR) en ADAS, cajas negras automotrices, grupos de instrumentos, módulos de control del cuerpo.

¿Por qué es adecuado?: Requiere el registro instantáneo de grandes cantidades de datos del sensor durante un accidente o una pérdida repentina de energía.Su alta resistencia también es adecuada para datos actualizados con frecuencia, como el kilometraje o el recuento de puertas abiertas / cerradas.

3Equipo médico

Ejemplos: monitores médicos portátiles (por ejemplo, glucómetros, monitores de frecuencia cardíaca), dispositivos implantables, equipos de diagnóstico.

¿Por qué es adecuado?: Los dispositivos deben registrar con fiabilidad los datos del paciente, los registros de uso y la información de calibración.El bajo consumo de energía y la alta fiabilidad son cruciales para la seguridad de los datos y el funcionamiento estable a largo plazo.

4- Sistemas inteligentes de medición y medición

Ejemplos: Contadores inteligentes de electricidad, contadores de agua, contadores de gas.

¿Por qué es adecuado?: Requiere actualizar los datos de uso acumulados cada pocos segundos y guardar el valor final al instante antes de la pérdida de energía.Las escrituras diarias frecuentes son un desafío importante para EEPROM, pero no para F-RAM.

5. Registros de datos

Ejemplos: Monitoreo del medio ambiente (temperatura, humedad, registradores de presión), rastreadores GPS.

¿Por qué es adecuado?: Estas aplicaciones requieren un registro continuo de flujos de datos a altas frecuencias.Su alta velocidad de escritura y su resistencia infinita permiten registrar datos sin problemas sin el riesgo de pérdida de datos o cuellos de botella causados por los retrasos de escritura inherentes a EEPROM.

6Electrónica de consumo de gama alta

EjemplosEquipo de audio profesional, centros de hogares inteligentes, periféricos para juegos.

¿Por qué es adecuado?: Cuando se necesita un almacenamiento rápido de la configuración del usuario, el estado del juego o los datos del sensor en tiempo real, la F-RAM proporciona una experiencia más fluida y confiable que EEPROM.

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Descripción

La FM25CL64B es una memoria no volátil de 64 Kbits que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado.Proporciona una conservación fiable de los datos durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, gastos generales y problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados por flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.

A diferencia del flash serial y EEPROM, el FM25CL64B realiza operaciones de escritura a velocidad de bus.Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere con éxito al dispositivoEl siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.El FM25CL64B es capaz de soportar 1014 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.

Estas capacidades hacen que el FM25CL64B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o rápidas.donde el número de ciclos de escritura puede ser crítico, a los controles industriales exigentes donde el largo tiempo de escritura de flash serie o EEPROM puede causar pérdida de datos.

El FM25CL64B ofrece beneficios sustanciales a los usuarios de EEPROM serie o flash como un reemplazo de hardware.que mejora la capacidad de escritura de alta velocidad de la tecnología F-RAMLas especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperatura industrial de 40 °C a +85 °C.

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Información

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