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SRP7030-4R7M 4.7μH Inductor de energía blindado con 9.6mΩ Baja DCR 15.8A Alto núcleo de isato ferrita de alta corriente baja pérdida compacta 7.3x7.3x3.0mm para fuentes de alimentación

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
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SRP7030-4R7M 4.7μH Inductor de energía blindado con 9.6mΩ Baja DCR 15.8A Alto núcleo de isato ferrita de alta corriente baja pérdida compacta 7.3x7.3x3.0mm para fuentes de alimentación

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Ampliación de imagen :  SRP7030-4R7M 4.7μH Inductor de energía blindado con 9.6mΩ Baja DCR 15.8A Alto núcleo de isato ferrita de alta corriente baja pérdida compacta 7.3x7.3x3.0mm para fuentes de alimentación

Datos del producto:
Lugar de origen: PORCELANA
Nombre de la marca: Bourns
Certificación: CE, GCF, ROHS
Número de modelo: SRP7030-4R7M
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: Empaquetado en la bandeja original en primer lugar, luego Carton, al final de la bolsa de burbujas p
Tiempo de entrega: 3-5 días hábiles después de recibir el pago
Condiciones de pago: T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente: 1000pcs por mes
Descripción detallada del producto
Función: Agudo, baja hacia abajo Configuración de salida: Positivo o negativo
Topología: Buck, Boost Tipo de salida: Ajustable
Número de salidas: 1
Resaltar:

4Inductor de potencia blindado de.7μH

,

inductor de núcleo de ferrita de alta corriente

,

inductor de alimentación de baja DCR

SRP7030-4R7M 4.7andmicro;H Inductor de potencia blindado con 9.6mandOmega; Baja DCR 15.8A Alta Isat Núcleo de ferrita Alta corriente Baja pérdida Compacto 7.3x7.3x3.0mm para fuentes de alimentación

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Características

n Construcción blindada

n Altura de la unidad de 3,2 mm

n Rango de inductancia: 0,1 a 10 andmu;H

n Corriente de hasta 32,5 A

n Cumple con RoHS

andnbsp;

Aplicaciones

1:Convertidores CC-CC: Se utiliza principalmente como inductor de estrangulamiento de salida o de almacenamiento de energía en convertidores Buck (reducción) de alta corriente.

2:Módulos reguladores de voltaje (VRM) para servidores, estaciones de trabajo y computadoras de escritorio.

3:Equipos de red, infraestructura de telecomunicaciones y estaciones base.

4:Gestión de energía para tarjetas gráficas y consolas de juegos.

5:Circuitos de alimentación en diversas electrónicas industriales y automotrices.

andnbsp;

Descripción

1:Capacidad de alta corriente: Su principal ventaja es la capacidad de manejar una alta corriente de saturación (Isat) de 15.8A. Esto lo hace ideal para la estabilización y el filtrado de energía en circuitos que alimentan CPU, GPU y otras cargas de alta corriente.

2:Baja resistencia de CC (DCR): Presenta una resistencia de CC típica excepcionalmente baja de solo 9.6mandOmega;. Esto minimiza las pérdidas de energía (pérdidas Iandsup2;R), aumentando así la eficiencia de conversión de energía y reduciendo la generación de calor dentro del propio componente.

3:Construcción blindada: La estructura blindada magnéticamente suprime eficazmente la interferencia electromagnética (EMI) y reduce la fuga del campo magnético a los circuitos sensibles cercanos. Esto simplifica el diseño de la placa y ayuda a pasar las pruebas de cumplimiento de EMC.

4:Huella compacta: Con dimensiones de solo 7.3mm x 7.3mm x 3.0mm, ofrece una alta densidad de potencia en un área mínima de PCB. Esto lo hace perfecto para aplicaciones con limitaciones de espacio, como portátiles delgados, placas base de servidores y equipos de red.

5:Rendimiento robusto: El uso de un material de núcleo de ferrita robusto y una carcasa de plástico resistente al calor garantiza una alta fiabilidad y estabilidad a largo plazo en condiciones exigentes. Por lo general, presenta un amplio rango de temperatura de funcionamiento, a menudo de -40anddeg;C a +125anddeg;C o superior, adecuado para aplicaciones de grado industrial.

6:Diseño de baja pérdida: La combinación de baja DCR y material de núcleo optimizado da como resultado una baja pérdida de energía general a las frecuencias de conmutación, lo que contribuye a una mayor eficiencia general del sistema.

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INFORMACIÓN

Categoría
Mfr
Serie
Embalaje
Cinta y carrete (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reelandreg;
Estado de la pieza
Activo
Tipo
-
Material - Núcleo
Inductancia
4.7 andmicro;H
Tolerancia
andplusmn;20%
Clasificación de corriente (amperios)
Corriente - Saturación (Isat)
6.5A
Blindaje
Blindado
Resistencia de CC (DCR)
40mOhm Max
Q @ Frecuencia
-
Frecuencia - Autorresonancia
-
Calificaciones
-
Temperatura de funcionamiento
-40anddeg;C ~ 125anddeg;C
Frecuencia de inductancia - Prueba
100 kHz
Características
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Estuche
No estándar
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Tamaño / Dimensión
0.307" L x 0.276" W (7.80mm x 7.00mm)
Altura - Asiento (Máx.)
0.126" (3.20mm)
Número de producto base

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Dibujo

SRP7030-4R7M 4.7μH Inductor de energía blindado con 9.6mΩ Baja DCR 15.8A Alto núcleo de isato ferrita de alta corriente baja pérdida compacta 7.3x7.3x3.0mm para fuentes de alimentación 0

Nuestra ventaja:teléfonos, PDA, computadoras portátiles

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Fuerte en marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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