Módulo IGBT 2 en 1 FPS0R12W2T7 1200V con tecnología Trench Field Stop, diodo de recuperación rápida de bajo VCEsat integrado, NTC integrado, alto aislamiento, baja inductancia, robusto y eficiente para variadores de motor

FPS0R12W2T7 1200V módulo IGBT 2 en 1 tecnología de parada de campo de zanja baja VCEsat Diodo de recuperación rápida integrado NTC de alto aislamiento baja inductancia resistente y eficiente para motores

Características

• Características eléctricas

• - VCES = 1200 V

• - IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

• - VCE bajo, sat.

• - TrenchStop TM IGBT7 - ¿ Qué es esto?

• - Operaciones de sobrecarga hasta 175 °C

• Características mecánicas

• - Substrato de Al2O3 con baja resistencia térmica

• - Tecnología de contacto PressFIT

• - aislamiento de 2,5 kV AC 1 minuto

• - Diseño compacto

• - Alta densidad de potencia

Aplicaciones

• Dispositivos de motor

• Inversores auxiliares

• Aire acondicionado

Descripción

ElFPS0R12W2T7es un módulo de potencia de alto rendimiento de 1200 V (0,12 kV) de Infineon Technologies, perteneciente a laFamilia de IGBT de la zanja de parada de campoEstá diseñado para ofrecer una alta eficiencia y fiabilidad en aplicaciones industriales de conversión de energía.

Información

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Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en la lista incluyen: