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El TOP es un distribuidor profesional de los componentes electrónicos en China.

ofrecemos servicio todo en uno de la solución, de los módulos de comunicación, de las antenas, del PWB, de PCBA, y de todos los componentes para PWB Bom.

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NDS331N MOSFET de canal N de 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, nivel lógico de 1,8 V, -55°C a +150°C

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. certificaciones
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NDS331N MOSFET de canal N de 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, nivel lógico de 1,8 V, -55°C a +150°C

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Ampliación de imagen :  NDS331N MOSFET de canal N de 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, nivel lógico de 1,8 V, -55°C a +150°C

Datos del producto:
Place of Origin: China
Nombre de la marca: onsemi
Certificación: CE, GCF, ROHS
Model Number: NDS331N
Pago y Envío Términos:
Minimum Order Quantity: 1
Precio: negotiable
Packaging Details: Packed in original tray firstly ,then carton, at last Bubble bag for outer packing
Delivery Time: 3-5 working days after received the payment
Payment Terms: T/T, Western Union,
Supply Ability: 1000pcs per month
Descripción detallada del producto
Function: Step-Up, Step-Down Output Configuration: Positive or Negative
Topology: Buck, Boost Output Type: Adjustable
Number of Outputs: 1

NDS331N MOSFET de canal N de 20 V 1,6 A Continuo 0,25 Ω Rds(on) SOT-23 Nivel lógico de 1,8 V -55 °C a +150 °C

 

Características

 1,3 A, 20 V

 RDS(on) = 0,21 @ VGS = 2,7 V

 RDS(on) = 0,16 @ VGS = 4,5 V

 Contorno estándar de la industria SOT−23 Paquete de montaje en superficie que utiliza el diseño propietario SUPERSOT −3 para capacidades térmicas y eléctricas superiores

 Diseño de celda de alta densidad para RDS(on) extremadamente bajo

 Resistencia excepcional y capacidad de corriente continua máxima

 Este es un dispositivo sin Pb

 

Descripción general

Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS patentada de alta densidad de celdas de onsemi. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje en computadoras portátiles, teléfonos portátiles, tarjetas PCMCIA y otros circuitos alimentados por batería donde se necesita una conmutación rápida y una baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.

 

APLICACIONES

Electrónica portátil

Conmutación de carga: Gestión de energía en teléfonos inteligentes, auriculares TWS

Protección de batería: Actúa como interruptor en las rutas de carga/descarga (admite 1,6 A de corriente continua).

Conversión CC-CC de baja potencia

Rectificación síncrona: Emparejado con chips Buck/Boost (por ejemplo, TPS61093) para mejorar la eficiencia a través de 0,250 Rds(on).

Cambio de nivel: Compatible con sistemas lógicos de 1,8 V/3,3 V/5 V para el aislamiento de la señal.

Sensor y procesamiento de señales

Conmutación de energía del sensor: Control de ahorro de energía para sensores de temperatura/humedad, módulos ópticos.

Conmutación analógica: Reemplaza los relés mecánicos en rutas de señal de bajo voltaje (<20V).

Control industrial

Interfaces de E/S de PLC: Controla LED o pequeños relés (requiere diodo de retroceso).
Conmutación de lado bajo: Controla ventiladores, motores pequeños, etc.

 

INFORMACIÓN

Categoría
Fabricante
Serie
-
Empaquetado
Cinta y carrete (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de la pieza
Activo
Tipo de FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25 °C
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
2,7 V, 4,5 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 1,5 A, 4,5 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id
1 V @ 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
5 nC @ 4,5 V
Vgs (Máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
162 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
500 mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
Número de producto base

 

Dibujo

NDS331N MOSFET de canal N de 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, nivel lógico de 1,8 V, -55°C a +150°C 0

Nuestra ventaja:

  • Productos de alta calidad --- nuestras ofertas son 100% nuevas y originales, ROHS
  • Precio competitivo --- buenos canales de compra con buen precio.
  • Servicio profesional --- pruebas estrictas de calidad antes del envío y un perfecto servicio postventa después de la compra.
  • Inventario adecuado --- Con el apoyo de nuestro sólido equipo de compras,
  • Entrega rápida --- enviaremos los productos dentro de 1-3 días hábiles después de que se confirme el pago.

 

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Lista de productos
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Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistencia, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque de terminales, cristal y oscilador, inductor, sensor, transformador, controlador IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuerte en marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona de Contacto: Mrs. Natasha

Teléfono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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