MOSFET de potencia de resistencia ultrabaja 0.0015Ω en Dual PQFN con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel lógico y libre de halógenos para conversión de energía de alta eficiencia

MOSFET de potencia Ultra-Bajo 0.0015andOmega; en PQFN dual con clasificación de avalancha AEC-Q101 175anddeg;C -40V/-30V Nivel Lógico y Libre de Halógenos para Conversión de Potencia de Alta Eficiencia

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Características

Impedancia de puerta ultra baja

Voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados

20V VGS Máx. Clasificación de puerta

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Aplicaciones

MOSFET rectificador síncrono para convertidores DC-DC aislados

Sistemas de accionamiento de motor de baja potencia

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Descripción

El IRF7351TRPBF es un MOSFET de canal N dual de alto rendimiento de Infineon Technologies, integrado en un paquete PQFN compacto de 5x6 mm. Está diseñado específicamente para convertidores buck síncronos y otras aplicaciones de gestión de energía que exigen alta eficiencia y alta densidad de potencia.

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INFORMACIÓN

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Dibujo

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Lista de productos
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Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistencia, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque de terminales, cristal y oscilador, inductor, sensor, transformador, controlador IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuerte en marcas:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.