SEMIX603GB12E4P Módulo IGBT de 1200V 600A Bajo Vce(sat) Alta robustez contra cortocircuitos Baja pérdida de conmutación Alto aislamiento Grado industrial Para SAI de alta potencia y accionamientos industriales

SEMIX603GB12E4P 1200V 600A Módulo IGBT Baja Vce(sat) Alta Robustez a Cortocircuitos Baja Pérdida de Conmutación Alto Aislamiento Grado Industrial Para UPS de Alta Potencia y Accionamientos Industriales

Características

• Si Homogéneo

• Trench = Tecnología Trenchgate

• Alta capacidad de cortocircuito

• Pines de ajuste a presión como contactos auxiliares

• Cerámica térmicamente optimizada

Aplicaciones

• Accionamientos de inversor de CA

• UPS

• Sistemas de energía renovable

Descripción

El SEMIX603GB12E4P es un módulo IGBT de alta potencia y alta corriente diseñado para sistemas de conversión de energía industrial exigentes que requieren un manejo de corriente sustancial. Ofrece una clasificación de alto voltaje de 1200V combinada con una clasificación de corriente muy alta de 600A. Utilizando tecnología avanzada de chips IGBT y diodos, logra un excelente equilibrio entre baja tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)) para reducir las pérdidas de conducción y características de conmutación optimizadas para una alta eficiencia. El módulo está construido para la máxima robustez industrial, con alta capacidad de resistencia a cortocircuitos, excelente aislamiento eléctrico y un diseño de encapsulado térmicamente eficiente y de baja inductancia para garantizar un funcionamiento fiable y estable en condiciones de alta tensión.

INFORMACIÓN

Dibujo

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