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TL064IDR Quad Low-Noise JFET Op Amp 1MHz Ancho de banda ± 18V Suministro 5pA Bias de entrada 10mV Desviación SOIC-14 -40°C a +125°C Grado industrial

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TL062IDR 3MHz JFET de baja potencia Op Amp ± 18V Suministro 1pA Bias de entrada 3mV Desviación 1.5μV/°C Drift SOIC-8 -40°C a +125°C, grado industrial

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Transceptor CAN FD TCAN1051VDQ1 de 5 V, velocidad de datos flexible de 5 Mbps, protección contra fallas de ±58 V, E/S lógicas de 1,8 V a 5 V, SOIC-8, -40 °C a +125 °C, AEC-Q100 Grado 1

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STM32F103CBT6 72MHz Cortex-M3 MCU 128KB Flash 20KB RAM 2x12 bits ADC 3xUSART USB/CAN LQFP-48 2.0-3.6V -40°C a +85°C Rendimiento de grado industrial

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STM32F030K6T6 MCU Cortex-M0 de 48 MHz, 32 KB Flash, 4 KB RAM, ADC de 12 bits, 16 GPIOs, LQFP-32, 2.4-3.6V, -40°C a +85°C, Rentable

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SIT8002AC-13-33E-50.00000T Oscilador MEMS de 50 MHz ±50ppm Estabilidad 1.8-3.3V Suministro 2.5mA Baja potencia LVPECL Salida -40°C a +85°C AEC-Q100 Calificado

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SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET de canal P de 20 V, corriente continua de 4,1 A, 0,045 Ω Rds(on), accionamiento de nivel lógico de 1,8 V, TO-236-3 SC-59 SOT-23-3, -55 °C a +150 °C, calificado AEC-Q101

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S25FL256SAGNFI010 256Mb (32MB) Serial NOR Flash 104MHz SPI 100K Borrado/Ciclos de programación de 20 años Conservación de datos 2.7-3.6V WSON-8 -40°C a +85°C Calidad automotriz

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PMA3-83LN 8.3GHz Amplificador de bajo ruido 18dB Ganancia 2.2dB NF 3.3V Suministro 50Ω Combinado SMT-4 -40°C a +85°C 5G/WiFi-6E listo

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PIC16F54-I/P MCU RISC de 8 bits 20MHz 512x12 Flash 25B RAM 12 I/O DIP-18 2-5.5V -40°C~125°C Baja potencia <2mA

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PD70101ILQ-TR 100V 4A MOSFET doble 0.025Ω Rds ((on) 175°C Máximo 32-VFQFN Pad expuesto AEC-Q101 -55°C a +175°C Sincronizar el Buck optimizado

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PCF8563T I2C Reloj de Tiempo Real 1.8-5.5V Suministro 400kHz Velocidad 240Bytes RAM ±5ppm Precisión 1μA Respaldo, SOIC-8 -40°C a +85°C

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P34836 5G NR RF Amplificador de potencia 3.3-5V Suministro 28dB Ganancia 30-6000MHz QFN-16 +105°C Operación Control de sesgo integrado

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OP07DRZ 0.6μV Amplificador Operacional de Bajo Ruido 0.3μV/°C Deriva 600nV Offset Máximo ±18V Suministro SOIC-8 -40°C a +85°C

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NCP3063BDR2G 1.5A Convertidor paso a paso 4-40V Entrada 250kHz, SOIC-8 85% Eficiencia de -40°C a +125°C Límites de corriente ciclo por ciclo

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MSP430F5172IRSBR 16MHz MCU de energía ultrabaja, 32KB Flash 4KB RAM ADC de 12 bits, QFN-32 0.1μA En sueño -40°C a +85°C

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NCP301LSN27T1G 2.7V 150mA LDO, ± 2% de exactitud CI ultrabajo de 45μA, 0,5μVRMS Ruido SOT-23-5 TSOT-23-5 delgado -40°C a +125°C

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MPXM2010GS 10kPa Sensor de presión 0-40mV Salida ±1,5% Precisión SOP-6 3-6V Suministro de -40°C a +125°C Resistente a los medios

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MJD127G 5A 100V Transistor Darlington PNP TO-252 (DPAK) 1V VCE(sat) @ 3A, hFE 1000 min -55°C a +150°C AEC-Q101

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Módulo 4G 5G

Módulo celular de alta velocidad del módulo 4G LTE del G/M para los routeres, netbooks

Modulo EM7430 de larga distancia 4G LTE Cat 6 Principalmente para Asia Pacífico MDM9230 Chipset

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Escoja los servicios echados a un lado GPS de la asamblea del PWB que sigue para el módulo de GPS

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OP07DRZ 0.6μV Amplificador Operacional de Bajo Ruido 0.3μV/°C Deriva 600nV Offset Máximo ±18V Suministro SOIC-8 -40°C a +85°C

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NCP3063BDR2G 1.5A Convertidor paso a paso 4-40V Entrada 250kHz, SOIC-8 85% Eficiencia de -40°C a +125°C Límites de corriente ciclo por ciclo

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MSP430F5172IRSBR 16MHz MCU de energía ultrabaja, 32KB Flash 4KB RAM ADC de 12 bits, QFN-32 0.1μA En sueño -40°C a +85°C

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NCP301LSN27T1G 2.7V 150mA LDO, ± 2% de exactitud CI ultrabajo de 45μA, 0,5μVRMS Ruido SOT-23-5 TSOT-23-5 delgado -40°C a +125°C

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SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET de canal P de 20 V, corriente continua de 4,1 A, 0,045 Ω Rds(on), accionamiento de nivel lógico de 1,8 V, TO-236-3 SC-59 SOT-23-3, -55 °C a +150 °C, calificado AEC-Q101

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S25FL256SAGNFI010 256Mb (32MB) Serial NOR Flash 104MHz SPI 100K Borrado/Ciclos de programación de 20 años Conservación de datos 2.7-3.6V WSON-8 -40°C a +85°C Calidad automotriz

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PMA3-83LN 8.3GHz Amplificador de bajo ruido 18dB Ganancia 2.2dB NF 3.3V Suministro 50Ω Combinado SMT-4 -40°C a +85°C 5G/WiFi-6E listo

PMA3-83LN 8.3GHz Amplificador de bajo ruido 18dB Ganancia 2.2dB NF 3.3V Suministro 50Ω Combinado SMT-4 -40°C a +85°C 5G/WiFi-6E listo

PIC16F54-I/P MCU RISC de 8 bits 20MHz 512x12 Flash 25B RAM 12 I/O DIP-18 2-5.5V -40°C~125°C Baja potencia <2mA

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PD70101ILQ-TR 100V 4A MOSFET doble 0.025Ω Rds ((on) 175°C Máximo 32-VFQFN Pad expuesto AEC-Q101 -55°C a +175°C Sincronizar el Buck optimizado

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PCF8563T I2C Reloj de Tiempo Real 1.8-5.5V Suministro 400kHz Velocidad 240Bytes RAM ±5ppm Precisión 1μA Respaldo, SOIC-8 -40°C a +85°C

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P34836 5G NR RF Amplificador de potencia 3.3-5V Suministro 28dB Ganancia 30-6000MHz QFN-16 +105°C Operación Control de sesgo integrado

P34836 5G NR RF Amplificador de potencia 3.3-5V Suministro 28dB Ganancia 30-6000MHz QFN-16 +105°C Operación Control de sesgo integrado

OP07DRZ 0.6μV Amplificador Operacional de Bajo Ruido 0.3μV/°C Deriva 600nV Offset Máximo ±18V Suministro SOIC-8 -40°C a +85°C

OP07DRZ 0.6μV Amplificador Operacional de Bajo Ruido 0.3μV/°C Deriva 600nV Offset Máximo ±18V Suministro SOIC-8 -40°C a +85°C

NCP3063BDR2G 1.5A Convertidor paso a paso 4-40V Entrada 250kHz, SOIC-8 85% Eficiencia de -40°C a +125°C Límites de corriente ciclo por ciclo

NCP3063BDR2G 1.5A Convertidor paso a paso 4-40V Entrada 250kHz, SOIC-8 85% Eficiencia de -40°C a +125°C Límites de corriente ciclo por ciclo

MSP430F5172IRSBR 16MHz MCU de energía ultrabaja, 32KB Flash 4KB RAM ADC de 12 bits, QFN-32 0.1μA En sueño -40°C a +85°C

MSP430F5172IRSBR 16MHz MCU de energía ultrabaja, 32KB Flash 4KB RAM ADC de 12 bits, QFN-32 0.1μA En sueño -40°C a +85°C

NCP301LSN27T1G 2.7V 150mA LDO, ± 2% de exactitud CI ultrabajo de 45μA, 0,5μVRMS Ruido SOT-23-5 TSOT-23-5 delgado -40°C a +125°C

NCP301LSN27T1G 2.7V 150mA LDO, ± 2% de exactitud CI ultrabajo de 45μA, 0,5μVRMS Ruido SOT-23-5 TSOT-23-5 delgado -40°C a +125°C

MPXM2010GS 10kPa Sensor de presión 0-40mV Salida ±1,5% Precisión SOP-6 3-6V Suministro de -40°C a +125°C Resistente a los medios

MPXM2010GS 10kPa Sensor de presión 0-40mV Salida ±1,5% Precisión SOP-6 3-6V Suministro de -40°C a +125°C Resistente a los medios

MJD127G 5A 100V Transistor Darlington PNP TO-252 (DPAK) 1V VCE(sat) @ 3A, hFE 1000 min -55°C a +150°C AEC-Q101

MJD127G 5A 100V Transistor Darlington PNP TO-252 (DPAK) 1V VCE(sat) @ 3A, hFE 1000 min -55°C a +150°C AEC-Q101

Módulo 4G 5G

Módulo celular de alta velocidad del módulo 4G LTE del G/M para los routeres, netbooks

Modulo EM7430 de larga distancia 4G LTE Cat 6 Principalmente para Asia Pacífico MDM9230 Chipset

Módulo de MC7430 MDM9230 4G LTE

El chipset 4G de Qualcomm MDM9230 integró los módulos inalámbricos MC7455 USB 3,0

PCB Servicios de la Asamblea

Escoja los servicios echados a un lado GPS de la asamblea del PWB que sigue para el módulo de GPS

servicios de la asamblea del PWB del cargador 2200mA 18650 con la superficie gruesa del chapado en oro

4 tablero del prototipo del soporte de la superficie del tablero del PWB del prototipo 94v0 del PWB de la capa

antena de gps de alta ganancia

SMA/SMB/aumento de la antena externa HI de GPS del conector BNC para el sistema del vehículo

Antena de GPS de la alta ganancia del alto rendimiento para el teléfono celular TOP-GPS-AI08

Alta ganancia óptima de la conectividad antena de 50 ohmios con el montaje del tornillo

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Está muy alegre encontrar el TOP como nuestro socio en China, aquí podemos conseguir el mejor producto y serice, ponen siempre al cliente en el primer lugar.

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—— Juan carlos-De Italia

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2020-07-30 10:19:25
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2020-07-30 10:09:15
CHINA Antena masculina de la señal del lechón 2.0dBi 3G del G/M GPRS SMA fábrica

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Antena masculina de la base del imán del lechón de 3G/GSM GPRS SMA con el cable de extensión descripción de la antena de la señal 3G: Diseño: Antena del imán del lechón G/M/3G Conector: Varón de SMA Tipo de la ... Leer más
2020-07-30 10:07:16
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