SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET de canal P de 20 V, corriente continua de 4,1 A, 0,045 Ω Rds(on), accionamiento de nivel lógico de 1,8 V, TO-236-3 SC-59 SOT-23-3, -55 °C a +150 °C, calificado AEC-Q101

SI2333DDS-T1-GE3

CARACTERÍSTICAS

• MOSFET de potencia TrenchFET®

• 100 % Rg probado

• Categorización de materiales: Para definiciones de cumplimiento, consulte

APLICACIONES

• Teléfonos inteligentes y tabletas

- Interruptor de carga

- Interruptor de batería

Descripción general
El Sl2333DDS-T1-GE3 es un MOSFET de canal P de 20 V avanzado en un encapsulado sC-70-3 ultracompacto, optimizado para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia y con limitaciones de espacio. Con su accionamiento de nivel lógico de 1,8 V y un Rds(on) ultrabajo de 0,0459, ofrece un rendimiento superior en electrónica portátil, sistemas automotrices y dispositivos loT.

Información

Dibujo

Nuestra ventaja:

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Lista de productos
Suministramos una serie de componentes electrónicos, una gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para la lista de materiales (BOM) de la PCB, en una palabra, puede obtener una solución integral aquí,


Las ofertas incluyen:
Circuito integrado, circuitos integrados de memoria, diodo, transistor, condensador, resistencia, varistor, fusible, recortador y potenciómetro, transformador, batería, cable, relé, interruptor, conector, bloque de terminales, cristal y oscilador, inductor, sensor, transformador, controlador IGBT, LED, LCD, convertidor, PCB (placa de circuito impreso), PCBA (ensamblaje de PCB)

Fuerte en marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.